第二章-集成电路材料、结构与理论.pptVIP

第二章 集成电路材料、结构与理论 2.1 集成电路材料 2.1 集成电路材料 2.1 集成电路材料-硅（Si） 2.1 集成电路材料-砷化镓（GaAs） 2.1 集成电路材料-磷化銦（InP） 2.1 集成电路材料-绝缘材料 2.1 集成电路材料-金属材料 2.1 集成电路材料-金属材料 2.1 集成电路材料-金属材料 2.1 集成电路金属材料 铝（Al） 2.1 集成电路材料-金属材料 铜 （Cu) 2.1 集成电路材料-多层金属布线 2.1 集成电路材料-0.35 ?m 互连线 2.1 集成电路材料-多晶硅 2.1 集成电路材料-材料系统 2.1 集成电路材料-半导体材料系统 2.1 集成电路材料-半导体/绝缘体材料系统 第二章 集成电路材料、结构与理论 2.5 MOS晶体管-基本结构 2.5 MOS晶体管-MOS阈值电压VT 2.5 MOS晶体管-三个区域 2.5 MOS晶体管-三个区域 2.5 MOS晶体管-参数的物理意义 2.5 MOS晶体管-端电压VDS对沟道特性影响 2.5 MOS晶体管-I-V特性 2.5 MOS晶体管-输出电阻 2.5 MOS晶体管——跨导 跨导gm反映了栅压Vgs对沟道电流的控制能力，是一个很重要的参数。 沟道电流对栅压的导数 第二章总结 * * 2.1 集成电路材料 2.2 半导体基础知识 2.3 PN结与结型二极管 2.4 双极型晶