第五章-MOS场效应管的特性.pptVIP

第五章 MOS场效应管的特性 5.1 MOS场效应管-伏安特性的推导 5.1 MOS场效应管-三个基本参数 5.1 MOS场效应管-三个基本参数续 5.1 MOS场效应管-伏安特性推导-电容结构 5.1 MOS场效应管-伏安特性推导-电荷在沟道中的渡越时间 5.1 MOS场效应管-伏安特性方程推导 5.1 MOS场效应管- 漏极饱和电流 5.1 MOS场效应管- 特性曲线 5.1 MOS场效应管- MOS电容（1） 5.1 MOS场效应管- MOS电容（2） 5.1 MOS场效应管- MOS电容（3） 5.1 MOS场效应管- MOS电容（4） 5.1 MOS场效应管- MOS电容（5） 5.1.3 MOS电容的计算 MOS电路分析通常关注的电容Cg、 Cs 和Cd。 MOS电容C对Cg，Cd有所贡献。源极和衬底之间Csb，在漏极和衬底之间Cdb。 非饱和状态 Cg = Cgs + 2/3C Cd = Cdb +1/3C 若处于饱和状态，沟道电荷与vds无关 Cg = Cgs + 2/3 C Cd = Cdb + 0 第五章 MOS场效应管的特性 5.2 MOS的阈值电压VT 5.2 MOS的阈值电压VT-VT的理想计算公式 第五章 MOS场效应管的特性 5.3 体效应 第五章 MOS场效应管的特性