第四章-集成电路器件工艺.pptVIP

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  • 2019-10-12 发布于山东
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第四章 集成电路器件工艺 第四章 集成电路器件工艺-工艺总表 第四章 集成电路器件工艺 -几种IC工艺速度功耗区位图 第四章 集成电路器件工艺 4.1 双极型集成电路的基本制造工艺 -早期的双极型硅工艺:NPN三极管 4.1 双极型集成电路的基本制造工艺 -先进的双极型硅工艺:NPN三极管 4.1 双极型集成电路的基本制造工艺 -先进的双极型硅工艺:NPN三极管续 4.1 双极型集成电路的基本制造工艺 -异质结双极型三极管(HBT) 4.1 双极型集成电路的基本制造工艺 -用得最普及的HBT 第四章 集成电路器件工艺 4.2 MESFET和HMET工艺 4.2 MESFET和HMET工艺 -GaAs MESFET 4.2 MESFET和HMET工艺 -简单的GaAs HEMT 4.2 MESFET和HMET工艺 -MESFET和HMET的缺点 第四章 集成电路器件工艺 4.3 MOS和相关的VLSI工艺 -FET分类 4.3 MOS和相关的VLSI工艺 -MOSFET的分类 4.3 MOS和相关的VLSI工艺 -NMOSFET结构 4.3 MOS和相关的VLSI工艺 -MOS工艺的特征尺寸 4.3 MOS和相关的VLSI工艺 -标准PMOS工艺 4.3 MOS和相关的VLSI工艺 -标准PMOS工艺 4.3 MOS和相关的VLSI工艺 -增强型和耗尽型MOS 4.3

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