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- 2019-10-12 发布于山东
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第四章 集成电路器件工艺 第四章 集成电路器件工艺-工艺总表 第四章 集成电路器件工艺-几种IC工艺速度功耗区位图 第四章 集成电路器件工艺 4.1 双极型集成电路的基本制造工艺-早期的双极型硅工艺:NPN三极管 4.1 双极型集成电路的基本制造工艺-先进的双极型硅工艺:NPN三极管 4.1 双极型集成电路的基本制造工艺-先进的双极型硅工艺:NPN三极管续 4.1 双极型集成电路的基本制造工艺-异质结双极型三极管(HBT) 4.1 双极型集成电路的基本制造工艺-用得最普及的HBT 第四章 集成电路器件工艺 4.2 MESFET和HMET工艺 4.2 MESFET和HMET工艺-GaAs MESFET 4.2 MESFET和HMET工艺-简单的GaAs HEMT 4.2 MESFET和HMET工艺-MESFET和HMET的缺点 第四章 集成电路器件工艺 4.3 MOS和相关的VLSI工艺-FET分类 4.3 MOS和相关的VLSI工艺-MOSFET的分类 4.3 MOS和相关的VLSI工艺-NMOSFET结构 4.3 MOS和相关的VLSI工艺-MOS工艺的特征尺寸 4.3 MOS和相关的VLSI工艺-标准PMOS工艺 4.3 MOS和相关的VLSI工艺-标准PMOS工艺 4.3 MOS和相关的VLSI工艺-增强型和耗尽型MOS 4.3
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