第三章-集成电路基本工艺.pptVIP

第三章 集成电路基本工艺 3.1 外延生长-生长目的 3.1 外延生长-液态生长(LPE: Liquid Phase Epitaxy) 3.1 外延生长气相外延-(VPE: Vapor Phase Epitaxy) 3.1 外延生长-Si基片的卤素生长外延 3.1 外延生长-金属有机物气相外延生长（MOVPE: Metalorganic Vapor Phase Epitaxy） 3.1 外延生长-分子束外延生长(MBE: Molecular Beam Epitaxy) 3.1 外延生长-MBE设备 第三章 集成电路基本工艺 3.2 掩膜制作 3.2 掩膜制作-IC、Mask Wafer 3.2 掩膜制作-整版和接触式曝光 第三章 集成电路基本工艺 晶体管版图 集成电路版图 3.3 光刻原理与流程 3.3 光刻原理与流程-光刻步骤 3.3 光刻原理与流程-正性胶与负性胶光刻图形的形成 3.3 光刻原理与流程-涂光刻胶的方法 3.3 光刻原理与流程-光刻步骤二、三、四 3.3 光刻原理与流程-曝光方式 3.3 光刻原理与流程-曝光方式续 3.3 光刻原理与流程-接触式曝光方式的图象偏差问题 3.3 光刻原理与流程-掩膜和晶圆之间实现理想接触的制约因素 3.3 光刻原理与流程-非接触式光刻-接近式 3.3 光刻原理与流程-非接触式光刻-投影式 3.