半导体器件物理第2章.ppt

表面状况及工艺因素对反向击穿电压的影响 温度对雪崩击穿电压的影响 1.9二极管模型 为了进行电路模拟，必须先建立电路各元器 件的模型，也就是对电路模拟程序的各种元 器件，在模拟程序中必须有相应的数学模型 来描述它们，即能用计算机进行运算的计算 公式来表达它们。 一个理想的元器件模型，应该既能正确反映 元器件的电学特性，又适宜在计算机上进行 数值求解。 一般来讲，元器件模型的精度越高，模型本 身就越复杂，所要求的模型参数个数也越多 电路模拟的精度除了取决于器件模型本身外， 还直接依赖于所给定的模型参数的数值是否正确。 目前广泛应用的SPICE器件模型，它是以元 器件的工作原理为基础，从元器件的数学方 程式出发，得到的器件模型及模型参数与 器件的物理工作原理有密切的关系。 下面讨论SPICE2中的二极管模型 1.9.1 直流模型 二极管直流模型用两个器件串联来表示 等效欧姆电阻rS 非线性电流源 非线性电流的表达式 参数： Is——饱和电流 n ——发射系数（用于描述空间电荷区中的产生复合效应)。 考虑到击穿现象，将二极管的反向特性分段处理： 参数： VB——反向击穿电压 IB——反向击穿时电流 1.9.2 大信号模型 二极管大信号模型 等效欧姆电阻rS 非线性电流源ID 电容CD 二极管的储存电荷包括两部分： 注入载流子形成的电荷（扩散区） 空间电荷区中的电荷 总电荷用QD表示 大信号参数： τD——渡越时间 φ0——内建电势，即VBJ m——梯度因子 FC——正偏耗尽层电容公式中的系数 Cj(0)——零偏时耗尽层电容 F1，F2，F3——常数 等效电路中电容CD为 1.9.3 小信号模型 二极管小信号模型 等效欧姆电阻rS 小信号电导gD 电容CD 小信号电导gD为 小信号电容为 1.9.4 噪声模型 二极管交流时的噪声模型 等效欧姆电阻rS 电容CD 小信号电导gD 热噪声inrs 闪烁噪声 inD 2.9 电荷贮存和反响瞬变 2.9 电荷贮存和反向瞬变 PN结二极管的开关作用： PN结二极管处于正向偏置时，允许通过较大的电流，处于反向偏置时通过二极管的电流很小，因此，常把处于正向偏置时二极管的工作状态称为开态，而把处于反向偏置时的工作状态叫作关态。可见PN结二极管能起到开关作用。 PN结的反向瞬变 2.9 电荷贮存和反向瞬变 PN结二极管的电荷贮存效应： PN结加一恒定的正向偏压时，载流子被注入并保持在结二极管中，在扩散区建立确定的非平衡少数载流子分布，这种现象称为电荷贮存效应。 注入的载流子分布： 2.9 电荷贮存和反向瞬变 2.9 电荷贮存和反向瞬变 2.9 电荷贮存和反向瞬变 2.9 电荷贮存和反向瞬变 2.9 电荷贮存和反向瞬变 2.9 电荷贮存和反向瞬变 2.9 电荷贮存和反向瞬变 小结 1. PN结二极管具有开关作用。 2. PN结在开关过程中表现出来的电流和电压的延迟现象称为PN结的反向瞬变。反向瞬变现象起源于PN结的电荷贮存效应。加一恒定的正向偏压时，载流子被注入并保持在PN结二极管中。这种现象称为电荷贮存。当正偏压突然转换至反偏压时，在稳态条件下所贮存的载流子并不能立刻消除。 3. PN结N侧总的贮存电荷为 （2-106） 4. 贮存时间：PN结在反偏压下去除全部贮存电荷所需要的时间。 5. PN结反向瞬变现象可以根据与时间有关的少数载流子分布示意图予以定性和半定量的解释。 2.9 电荷贮存和反向瞬变 小结 6. 用电荷控制分析方法得到的贮存时间： （2-112） 通过解依赖于时间的连续性方程得到的贮存时间： ? （2-113） 公式（2-113）的近似解即为（2-112）。电荷控制分析是一个合理的近似 2.9 电荷贮存和反向瞬变 2.10 P-Ｎ结击穿 2.10 P-Ｎ结击穿 PN结击穿：当加在PN结上的反偏压增加到一定数值，再稍微增加，PN结就会产生很大的反向电流。这种现象叫做结击穿。击穿过程并非具有破坏性的，只要最大电流受到限制，它可以长期地重复。 击穿机理：热击穿、雪崩击穿和隧道击穿。后两种属于电击穿。 电击穿现象： PN结反向电压增加到一定数值（VB）时，反向电流开始急剧上升，这种现象称为PN结击穿。VB 称为击穿电压