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实验四晶体管级CMOS反相器设计 刘翔一、 实验内容与要求。 实验内容： 学习基本CMOS逻辑电路的仿真设计方法。 学习基木逻辑门电路的设计参数估算方法。 学习基本逻辑电路的仿真验证方法。 实验要求： 用CMOS电路结构实现反相器的晶体管级电路。 调整电路中每个晶体管的W和L,使工作频率最高达到1GH刁以上。 对所设计电路进行整体仿真及参数测量(传输特性曲线、电压 门限、传输时间、上升/下降时间等)，评价设计结果，改进设计。 记录操作步骤，截取相应图片，完成实验报告。 二、 实验环境。 Tanner (S-Edit、T-Spice、W-Edit)。 三、 实验流程框图。 _ S-Edit K| T-Spiceu W-Edit 计算设计参数 外原理图| 易SPWE文件| 讨波形文件 四、 实验步骤。 根据设计要求，计算参数。 根据反相器的原理图，画出其简化的数字模型。 褐 S-Edit - FileO.sdb: ModuleO : Schematic: PageO | File Edit View Module Page Setup Help ，心 l . i._ l — J— (— l ? i 昌|g嘔］Qi 1聯恤「回厨Pl 四电 BBBHHBB H （2）在计算参数Z前，用记事本方式查看所用工艺库的?lib文件（上 华库：h05mixddst02vl3. lib文件）,找到相关参数值。nvn和nvp分 别表示NMOS管和PMOS管，参数如下： 见二 4.04x10-2 =2.16x10-2 % = 0755 Vthp = -0.945 tox =1.25x10^ % =%勺=35? 13xl0T2 （3）计算管子的宽长比。 Cm =% = 21 xW4 Cm =% = 21 xW4 113.5x10 蚣二知C°x= 60.7x10 R 二—% 二 4.89M 、Jr % R； = R； l rp = - =10?06也 2 C角二C炉Loutp ox p Vdd _ 转换点电压为2，将,即2.5V,则=RP\如果上升时间和下降吋间 是相等的，则“一厂。皿。又tr=2.2Rp（C°MCQ , tf二2.2心（C如十C。吟）.滋R“Rp，c。时C。呦 转换点电压为2 ，将 R. = Rp tr =tjr = 0.5ns 心”C°￡ = 0.23X 10-9如果选择厶7 f 则：C”岛（疋+心） = 0.23xl0亠得 r；5 = r* Ln二Lp=L“ =2.34“化又由于化 % ,得 冬二 2.06 Wn ,如果取％二0，则岭=206如。计算得到的 值是上升时间刚好为0. 5ns时的管子尺寸，只有取长度小于2. 34um的 管长都能满足要求。 在S-Edit屮搭建反向器电路。 点击图标打开T-Spice，导岀spice 点击图标 打开T-Spice，导岀spice文件。 ■ T-Spice - [ModuleO] 3 ?添加spice仿真命令。 添加上华库。 修改mos管(nvn、nvp)的参数。 加入瞬态仿真命令，Analysis—Transient,最大步长为0.01ns； 仿真时间为2ns o 加入直流仿真命令，Analysis—DC transfer sweep,设置 sweep 1。 输出波形命令。 观察输入波形：analysis一output一Transient results,添加vin的观察; 观察输出波形：analysis一output一Transient results,添加 vout 观察。 (7) SPICE文件。 总 T-Spice - [ModuleO *] 曲 File Edit View Simulation Table Setup Window Help □ Q A Qi M 「 “ 于 HI ? ? ■ ii SPICE netlist written by S-Edlt Win32 10.10 Written on Nov lr 2012 at 17:01:42 Waveform probing coimands .probe op匸ions probefilename=wFileO?datR + probesdbfile*wFile0.sdtw + probetopmociuleoWMociuleO Main circuit: ModuleO Ml vout vin Gnd Gnd nvn W?lu L-2.34u M?1 M2 vout vin Vdd Vdd nvp W?2.06u L=2.34u M=1 v3 Vdd Gnd 5.0 v4 vin Gnd pulse(0?0 5.0 0 On On 0.5n In) lib E:\3hangh