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实验十三模拟法测绘静电场 模拟法木质上是用一种易于实现、便于测最的物理状态或过程模拟不易实 现、不便测量的状态和过程，要求这两种状态或过程冇一一对应的两组物理屋, 且满足相似的数学形式及边界条件。 -?般情况，模拟可分为物理模拟和数学模拟，对一些物理场的研究主要采用 物理模拟（物理模拟就是保持同一物理木质的模拟），数学模拟也是一种研究物理 场的方法，它是把不同本质的物理现象或过程，用同一个数学方程来描绘。对一 个稳定的物理场，若它的微分方程和边界条件一旦确定，英解是唯一的。两个不 同本质的物理场如果描述它们的微分方程和边界条件相同，则它们的解也是一一 对应的，只要对其屮一种易于测量的场进行测绘，并得到结果，那么与它对应的 期一个物理场的结果也就知道了。由于稳恒电流场易于实现测虽，所以就用稳恒 电流场来模拟为其具有相同数学形式的静电场。 我们还要明确，模拟法是在实验和测量难以直接进行，尤其是在理论难以计 算时，采用的一种方法，它在工程设计中有着广泛的应用。 【实验目的】 本实验用稳恒电流场分别模拟长同轴圆形电缆的静电场、平行导线形成的静 电场、劈尖形电极和聚焦。具体要求达到： 1、 学习用模拟方法來测绘具冇相同数学形式的物理场。 2、 描绘出分布Illi线及场量的分布特点。 3、 加深对各物理场概念的理解。 4、 初步学会用模拟法测虽和研究二维静电场。 【实验仪器】 GVZ-3型导电微品静电场描绘仪（包括导电微品、双层固定支架、同步探针 等），如图所示，支架采用双层式结构，上层放记录纸，下层放导电微晶。电极 已直接制作在导电微晶上，并将电极引线接出到外接线柱上，电极间有电导率远 小于电极口各项均匀的导电介质。 接通直流电源（10v）就可进行实验。 在导电微品和记录纸上方各有一-探 针，通过金属探针臂把两探针固定 在同一手柄座上，两探针始终保持 在同一铅垂线上。移动手柄座时， 可保证两探针的运动轨迹是一样 的。由导电微晶上方的探针找到待 测点后，按一下记录纸上方的探针， 在记录纸上留下一个对应的标记。 移动同步探针在导电微晶上找出若 干电位相同的点，山此便可描绘出 等位线。 【实验原理】 （一）模拟长同轴圆柱形电缆的静电场 稳恒电流场与静电场是两种不同性质的场，但是它们两者在一定条件下具有相 似的空间分布，即两种场遵守规律在形式上相似，都可以引入电位U,电场强度 ￡ = 都遵守高斯定律。 对于静电场， 电场强度在无源区域内满足以下积分关系： ^￡?6/5=0 =0 S C 对于稳恒电流场， 电流密度矢最j在无源区域内也满足类似的积分关系： 由此可见亘和i在各白区域中满足同样的数学规律。在相同边界条件下，具有相 同的解析解。因此，我们可以用稳恒电流场来模拟静电场。 在模拟的条件上，要保证电极形状一定，电极电位不变，空间介质均匀，在任何 一个考查点，均应有U絵电二U録恒或E紳电二E诲恒。 下面通过具体实验来讨论这种等效性。 1、同轴电缆及其静电场分布： 如图1（a）所示，在真空中有一半径为“的长圆柱形导体A和一内半径为rb 的长圆筒形导体B,它们同轴放置，分别带等量界号电荷。山高斯定理知，在垂 直于轴线的任一载面s内，都有均匀分布的辐射状电场线，这是一?个与处标Z轴 无关的二维场。在二维场中，电场强度E平行于xy平面，其等位面为一簇同轴 圆柱面。因此只要研究S面上的电场分布即可。 （町 _ （b）图1 （町 _ （b） 图1同轴电缆及其静电场分布 由静电场屮的高斯定理可知，距轴线的距离为r处（见图lb）的各点电场强度为 E= U「式中/I为柱面每单位长度的电荷量，半径为r的任一点与外圆林面间的电位差为: U「 (2) 两柱面间电位差为 (3)u-=rEdr=^int (3) 代入上式，得 (5) 2、同柱圆柱面电极间的电流分布 若上述圆柱形导体A与圆筒形导体B之间充满了电导率为cr的不良导体，A、 B与电源」E负极相连接(见图2), A, B间将形成径向电流，建立稳恒电流场E仃 可以证明不良导体中的电场强度F］与原真空中的静电场此?是相等的。 取厚度为t的圆轴形同轴不良导体片为研究对象，设材料电阻率为。 1 (° = _),则任意半径r到r+dr的圆周间的电阻是: CF dRdrP~ = Psdr2/m dR dr P~ = P s dr 2/m p 2/rt dr r 则半径为r到nZ间的圆柱片的电阻为: 2/rt 儿 r 2^t r Vi(a)(b)图2同轴电缆的模拟模型 总电阻为（半径“到$之间圆柱片的电阻）rjh 2/rt 上 r 2加 r Vi (a) (b) 图2同轴电缆的模拟模型 总电阻为（半径“到$之间圆柱片的电阻） rjh 2/rt 上 r 2加 r 因两圆柱血间所加电压为U°,则径向电流为 (9) 半径r处到外柱而