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GaN 半导体材料综述 课程名称 :纳米功能材料与器件 学生姓名 :XX 学院 :新材料技术研究院 学号 :XXXX 班级 :XXXX 任课老师 :顾有松 评分 : 2015-12 目录 1 前言 1 2 GaN 材料的性能研究 1 2.1 物理性质 1 2.2 化学性质 2 2.3 电学性质 2 2.4 光学性质 2 3 GaN 材料的制备 3 3.1 金属有机化学气相外延技术 (MOCVD) 3 3.2 分子束外延 (MBE) 3 3.3 氢化物气相外延 (HVPE) 4 4 GaN 材料的器件构建与性能 5 4.1 GaN 基发光二极管 (LED) 5 4.2 GaN 基激光二极管 (LD) 6 4.3 GaN 基电子器件 7 4.4 GaN 基紫外光探测器 7 5 结论 7 参考文献 8 1 前言 继硅（ Si ）引导的第一代半导体和砷化镓（ GaAs）引导的第二代半导体后，以 碳化硅（ SiC ）、氮化镓（ GaN）、氧化锌（ ZnO ）、金刚石、氮化铝（ AlN ）为代表的 第三代半导体材料闪亮登场并已逐步发展壮大。 作为第三代半导体的典型代表， GaN 材料是一种直接带隙以及宽带隙半导体材 料。室温下其禁带宽度为 3.4eV，具有高临界击穿电场、高电子漂移速度、高热导、 耐高温、抗腐蚀、抗辐射等优良特性，是制作短波长发光器件、光电探测器以及高 温、高频、大功率电子器件的理想材料。随着纳米技术的发展， III 族氮化物一维纳 米结构在发光二极管、场效应晶体管以及太阳能电池领域都具有极大的潜在应用。 进入 20 世纪 90 年代以后，由于一些关键技术获得突破以及材料生长和器件工艺水 平的不断提高 ,使 GaN 材料研究空前活跃， GaN 基器件发展十分迅速。基于具有优 异性质的纳米尺寸材料制造纳米器件是很有意义的， GaN 纳米结构特别是纳米线是 满足这种要求的一种很有希望的材料 [1] 。 本论文主要介绍了 GaN 材料的性能研究、制备方法研究、器件构建与性能三个 方面的内容，并最后进行了总结性阐述，全面概括了 GaN 材料的基本内容。 2 GaN 材料的性能研究 2.1 物理性质 GaN 是一种宽带隙半导体材料， 在室温下其禁带宽度约为 3.4 eV；Ga 和 N 原子 之间很强的化学键，使其具有高达 1700℃的熔点；电子漂移饱和速度高，且掺杂浓 度对其影响不大；抗辐射、介电常数小、热产生率低和击穿电场高等特点。通常情 况下 GaN 的晶体结构主要为六方纤锌矿结构和立方闪锌矿结构，前者为稳态结构， 后者为亚稳态结构，在极端高压情况下也会表现为立方熔盐矿结构 [2] 。目前各种器 件中使用到的都是六方 GaN，其晶体