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实验四pn结特性测量 I ■一、一 一、 刖吞 早在六十年代初,人们就试图用PN结正向压降随温度升高而降低的特性作为测温元件, 由丁?当吋PN结的参数不稳定，始终未进入实用阶段。随着半导体工艺水平的提高及人们不 断的探索，到七I?年代时，PN结以及在此棊础上发展起來的晶体管温度传感器，已成为一 种新的测温技术跻身于各个领域了。 众所周知，常用的温度传感器有热电偶、测温电阻器和热敏电阻等，这些温度传感器均 冇各自的优点，但也冇它的不足Z处，如热电偶适用温度范围宽，但灵敏度低、线性差仇盂 耍参考温度；热敏电阻灵敏度高、热响应快、体积小，缺点是非线性，这对于仪表的校准和 控制系统的调节均感不便；测温电阻器如钳电阻虽有精度高、线性好的长处，但灵敏度低且 价格贵；而PN结温度传感器则具有灵敏度高、线性好、热响应快和体小轻巧等特点，尤具 是温度数字化、温度控制以及用微机进行温度实时信号处理等方面，仍是其它温度传感器所 不能比的，其应用势必口益广泛。冃前结型温度传感器主要以硅为材料，原因是硅材料易于 实现功能化，即将测温单元和恒流、放人等电路组成一块集成电路。美国Motorola电子器 件公司在1979年就开始牛产测温品体管及英组件，如今灵敏度高达lOOmVfC.分辨率不低 于().1°C的硅集成电路温度传感器也已问世。但是以硅为材料的这类传感器也不是尽善尽美 的，在非线性不超过标准值().5%的条件下，其工作温度一般不超为一5()°C?15()°C,与其它 温度传感器相比，测温范围的局限性较人，如果采用不同材料如餅化锢或神化傢的PN结可 以展宽低温区或高温区的测量范围。八十年代屮期我国就研制成功以SiC为材料的PN结温 度传感器，其高温区可延伸到500°C,并荣获国际博览会金奖。自然界冇丰富的材料资源， 而人类具有无穷的解慧，理想的温度传感器正期待着人们去探索、开发。 二、 实验目的 了解PN结正向压降随温度变化的基本关系式。 在恒流供电条件下，测绘PN结正向压降随温度变化曲线，并由此确定其灵敏度和被 测PN结材料的禁带宽度。 学习用PN结测温的方法。 三、 实验原理 理想PN结的正向电流/尸和压降*存在如下近似关系式。 IF = Is exp(^VF / kT) (4.1) 其中g为电子电荷；R为玻尔兹曼常数；T为绝对温度；厶为反向饱和电流，它是一个 和PN结材料的禁带宽度以及温度等有关的系数，可以证明 Is 二 C厂 exp[—q叫(0)/比门 (4.2) 其中C是与结面积、掺杂浓度等有关的常数；r也是常数(见附录)；冬(0)为绝对零度 时PN结材料的导带和价带顶的电势差。 将式(4.2)代入式(4.1),两边取对数可得 L C kT VF =K(0)-(-ln—)T——ln〃 =% +Vzd (4.3) q - q k c V(=v (0)-( In z )T q iF vzll 方程（4.3）就是PN结正向压降作为电流和温度的函数表达式，它是PN结温度传感器 的基本方程。令lF二常数，则正向压降只随温度而变化，但是在方程（4.3）中，除线性项 力外还包含非线性项Vzj70卜-面來分析一下匕〃项所引起的线性谋差。 设温度由八变为T时，正向电压由VF1变为VF,由式（4.3）可得 T kT VF=V/0)-[VJ0)-VF1]-一 ——In q (4.4) 按理想的线性温度响应，S应取如卜?形式 (4.5) 3V 話等温度时的話值。 由式（4.3）可得 _ V/0)-VF1 k °T 7] q (4.6) 所以 V理想=f + [-吩厂1 - - r](r - G T\ q T k = v/o)-|vg(o)-vFIi---r(r-r,) (4.7) 山理想线性温度响应式（4.7）和实际响应式（4.4）相比较，可得实际响应对线性的理 论偏差为 k kT T \ △ = = ~ r（T\ ~T^~ln| 7^ I （4-8） 设Ti=300K, 7=310K,取r=3.4*,由式（4.8）可得△=0.048mV,而相应的V＞的改变量 为20mV,相比Z下谋差其小。不过当温度变化范围增人时，％温度响应的非线性误差将冇 所递增，这主要由于厂因子所致。 综上所述，在恒流供电条件下，PN结的*对T的依赖关系取决于线性项力，即正向 压降几乎随温度升高而线性卜?降，这就是PN结测温的依据。必须指出，上述结论仅适用于 杂质全部电离，木征激发可以忽略的温度区间（对于通常的硅二极管来说，温度范囤约一 50°C?150°C）。如果温度低于或高于上述范围时，由于杂质电离因子减小或本征载流子迅速 增加，V.-T关系将产生新的非线性，这一现象说HJ] Vb-T的特性还随PN结的材料而界， 对于宽带材料（如GaAs）的PN结，其高温端的线性区则宽；而材料杂质电离能