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《脉冲与数字电路》第三章（1） （张珣） 杭州电子工业学院电子信息学院 2002 第三章 门 电 路 2、理想二极管开关特性应用 2〉并联二极管限幅器 3〉二极管钳位电路 3、非理想二极管开关特性 3、非理想二极管开关特性（续） 4、三极管开关特性(工作状态) 4、三极管开关特性（分布电容） 5、三极管开关参数 5、场效应管开关（续） 5、场效应管开关（总结） 6、二极管门电路 * * 1、二极管开关特性： 特性 正向导通 反向截止 反向击穿 VTH 硅管:0.7-0.8V 锗管：0.3V IS Si 1μA Ge 10 μ A VBR 1〉串联二极管限幅器 思考1:若Vi=7Sin(wt) V,则Vo=? 思考1:若D反接,则Vo=? 导通转向截止，由于结电容影响存在反向恢复时间Toff *〉改进电路 *〉肖特基二极管 特点： 开关速度快 正向域值小，0.3v 截止：Ib=0，Ic=0, Uce=Vcc; 放大： IbS Ib 0, Ic=βIb； Uce=Vcc-IcRc 饱和: Ib IbS， Ic = Vcc/Rc, Uce=0 接通时间 Ton 断开时间 Toff *