半导体工艺流程讲课用.pptVIP

Best Wish For You 以下从三个方面来讲 以下从三个方面来讲 * 从当初晶体管的发明，到现在甚高速集成电路已经含一百万以上的晶体管 * 硅片尺寸的演变也是为了适应大规模集成电路的发展。规模大、管芯面积大、为了提高产能、降低成本，必须使用大大硅片 * 硅片的形成是在沙中提炼多晶硅、拉单晶；再经过切、磨、抛等工艺，最后制成能供生产使用的硅片产品。 * * 提高电路规模，必须减小电路的线条宽度 * 摩尔定律大家都比较熟悉了 * 降低电路功耗，是设计工程师追求的目标之一 * 器件的可靠性是衡量设计能力和器件技术水平和的重要标志 * 一个晶体管卖10美元，而现在一个U盘才卖10美元，U盘的存贮器要含一百万个晶体管 * 目前我的产品水平在100级环境下工作基本可以满足。洁净度和运行成本有很大关系 * * 目前通常采用MOS工艺或双极工艺， 近来也使用BiCMOS * 提请大家注意这里的P 和磷（P）是不同的！ * （Chemical Vapor eposition；） * CVD的反应机制主要可分为五个步骤：(1)在沉积室中导入气体，并混以稀释用的惰性气体构成「主气流（mainstream）」；(2)主气流中反应气体原子或分子通过边界层到达基板表面；(3)反应气体原子被「吸附（adsorbed）」在基板上；(4)吸附原子（adatoms）在基板表面移动，并且产生化学反应；(5)气态生成物被「吸解（desorbed）」，往外扩散通过边界层进入主气流中，并由沉积室中被去除。 * atmospheric pressure CVD； low pressure CVD； plasma enhanced CVD； * Physical Vapor Deposition： * 1.适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线。2.适合高频使用。3.操作方便，可靠性高。4.芯片面积与封装面积之间的比值较小。Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板采用这种封装形式。 * Intel系列CPU中，80486和Pentium、Pentium Pro均采用这种封装形式。 * * 扫描电镜 膜厚测量仪 晶园测量仪 光刻对位测量仪 台阶仪 CV测试仪 表面电荷分析仪 椭偏仪 半导体制造过程---后工序 后段（Back End） 封装（Packaging）： IC封装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑 料（plastic）两种，目前商业应用上则以塑料 封装为主。 以塑料封装中压焊接合为例，其步骤依序为 晶圆划片（die saw） 上芯（diemount / die bond） 焊线（wire bond） 封塑（mold） 切筋成型（trim / form） 打印（mark） 电镀（plating）及检验（inspection）等。 测试制程（Initial Test and Final Test） 1 晶片划片（Die Saw） 硅片划片是把前工序加工完成的晶圆上管芯 采用划片机进行高精度切割。 采用0.2微米工艺技术生产，在八寸硅片上 可制作近600个以上的64MDROM。 要进行划片，首先必须进行硅片贴膜，再送 至晶片划片机上进行划片。之后管芯依然排列 在胶带上，而框架的支撑避免了胶带的皱折与 管芯与管芯之间相互碰撞。? 2. 上芯（Die Bond） 上芯的目的是采用银浆（epoxy）将管 芯粘贴固定在导线框架上粘住固定。 上芯成之后框架则由传输设备送至弹夹 （magazine）內，以送至下一道工序进行 压焊。 管芯与管脚框架依靠金丝连接。 3 压焊（Wire Bond） 最后采用压焊台将管芯的压焊点采用金丝、铝丝或铜丝与框架压点外拉出管脚（Pin），称之为压焊，作为与外界电路连接之用。 4. 封装（Mold） 塑封的主要目的为防止湿气由外部侵入、 以机械方式支持导线、內部产生热量之去 除及提供能夠手持之形体。其过程为将导 线架置于框架上並預熱，再将框架置于压 模机上的构装模上，再以树脂充填并待硬 化。? 5. 切筋/成形（Trim /Form） 切筋的目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开，并把不需要的连接用材料及部份凸出之树脂切除（dejunk）。成形之目的則是將外引脚压成各种预先设计好的形狀 ，以便于装置在电路板上使用。剪切与成形主要由一部种压机配上多套不同制程模具，