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晶片相關知識介紹 2015/8/03 晶 片 結 構 晶片的結構： 晶 片 結 構 晶片是由P層，N層以及基板三個部份組成，是以電流通過而影響到晶體內部的電子發生變化，從而激發出光。 晶體本身是由化學元素組成，不同的組合再配以一些雜質，就會發出不同的光彩。 Ga As P Si C In N 等。 如右圖所示，當從晶片的P層朝N層流入電流時，由P層電極就加入電洞，同時N層就加入電子，且在此的電洞向P層移動(擴散)，電子則向N層移動，而達P-N接合。如果電程電子具有某能量值以上，電子電洞會跨越P-N接合，并與其它電洞電子再結合而發光。 晶片組成的材料 一般晶片用的材料，主要在元素周期表中的第Ⅲ族與第Ⅴ族的元素加以化合所成的化合物半導體。 (詳見附件一) 　　 常見的有： GaAs GaP GaAsP GaAlAa 晶片材質 晶 片 材 質 二元 GaP 磷化鎵 三元 GaAsP 磷砷化鎵 三元 GaAlAs 砷化鋁鎵 四元 AlGaInP磷化鋁鎵銦 晶元：InGaN/Al2O3(三氧化二鋁) 藍光 InGaN氮化鎵銦 CREE：InGaN/SiC(碳化硅) 晶片的製作流程3 晶片的制作流程：磊晶—電極—切割 磊晶流程：清洗--磊晶成長—品質分析—研磨 — Ga回收純化 電極流程：晶片整理—晒圖—清洗—鍍正、背金—黃光微影—金蝕刻—熔合—測Rs(表面電阻)--黃光微影—真空鍍鈦鋁—剝鈦鋁—去光阻—熔合—測Rs Ⅲ-Ⅴ: GaP GaAs GaN InP GaAsP AlGaAs AlGaInP AlGaAsP Ⅱ-Ⅵ:ZnSe Ⅳ-Ⅵ:SiC Chip 是以mil為單位。 1mil=1/1000inch=25.4um 晶片波長介紹: 可見光產品晶片波長：380～760nm 波長小於380nm為紫外光 波長大於760nm為紅外光 常用的紅外光波長： IR 波長為940nm SIR 波長為875nm HIR 波長為850nm 晶片的特性介紹 普亮：H （高效紅） G（綠色） Y（黃色） E（橙色） R（暗紅色） SG（標准綠） KG（深綠色） PG(純綠色） SO(橙紅） 超亮：VG（高亮綠） UG(超亮綠） SYG (超亮綠） SUG(超亮草綠） VY（高亮黃） UY(超亮黃） 　　 VR（高亮紅） SR （超亮紅) UR（超亮紅） USR( 超亮紅） SUR （超亮紅) UYO(超亮金黃） 　　 USO（超亮橙紅） RO（超亮紅） UB(藍色） UBG(天藍色） 　　　 THE END!! * 主 要 內 容 1、晶片在LED中的功能介紹2、晶片的結構、發光原理、材質3、晶片供應商介紹4、晶片制作流程5、晶片特性介紹6、晶片不良圖示 晶片在LED中的功能 1、主要作業為發光，在LED中起一個核心的 作用。2、它是屬於LED的直接物料部份。 鋁墊(電極) P層(正極) N層(負極) 金層(負電極) 實物圖 晶片簡圖(011EG) 四大結構: P型層, N型層, 基層(Substrate)與電極 電極分上電極及下電極 材料部份有Al及Au 依P型層及N型層的位置, 分為兩種: P型層在上, 則為P-type N型層在上, 則為N-type 基層一般為GaAs, GaP,…等 晶片的結構 一般基層(Substrate)的材料, 如GaAs, 有吸收光之特性, 稱為AS type, 將造成發光效率變差, 解決此問題的方法, 目前有兩種: 磨除基層 更換基層為 TS type SRDRUR 晶片的結構 晶片的發光原理 週期表 LED晶片的元素為III-V族化合半導體 附件一： 晶片成份： 1 基材：矽(Silicon) 2 掺雜物質：硼(B)、磷(P)、銻(Sb)、砷(As) 3 電極：鋁(Al)、金(Au) 晶片的製作流程(圖示1） 晶片制作流程2 蒸鍍: 金屬電極蒸鍍 黃光照像: 金屬電極對準 化學蝕刻: 電極形成 金屬融合: 電性形成 切割: 晶粒形成 測試: 電性檢測 伸張: 擴張晶粒間距 目檢: 挑除不良晶粒 包裝: 包裝至藍/白膜, 貼標籤, 裝箱 品質分析： 分析厚度(磊晶層、晶片) 雜質含量(CC值) 亮度指標(BI值) 晶片的製作流程 晶片的特性介紹 晶片的材料及其發光顏色 晶片的特性介紹 工作原理 LED的符號 P層與N層之接合狀況 晶片的特性介紹 LED之通電狀況 順向電壓 逆