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半导体论文格式范文 　　 　　半导体材料的特性参数对半导体的应用甚为重要因为不用的性质决定着不同的用途接下来是小编带来的半导体论文希望对你有所帮助~ 　　 　　摘要：本文主要介绍半导体材料的分类、特征、制备工艺、应用、半导体的特性参数、发展现状战略地位等半导体的发展与器件紧密相关1941年用多晶硅材料制成检波器是半导体材料应用的开始1948~1950年用切克劳斯基法成功的拉出了锗单晶并用它制成了世界上第一个具有放大性能的锗晶体三极管1951年用四氯化硅锌还原法制出了多硅晶1952年用直拉法成功拉出世界上第一根硅单晶同年制出了硅结型晶体管从而大大推进了半导体材料的广泛应用和半导体器件的飞速发展 　　 　　关键词：半导体材料导电能力单晶片电阻率电子 　　 　　一、半导体材料的分类； 　　 　　半导体材料是导电能力介于导体与绝缘体之间的物质半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料其电导率在10（U3）～10（U9）Ω/cm范围内 　　 　　半导体材料可按化学组成来分再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、化合物半导体、有机半导体、固溶体半导体和非晶态与液态半导体元素半导体大约有十几种处于ⅢA族—ⅦA族的金属元素与非金属元素交界处如GeSiSeTe等；化合物半导体分为二元化合物半导体和多元化合物半导体；有机半导体分为有机分子晶体、有机分子络合物、和高分子聚合物一般指具有半导体性质的碳碳双键有机化合物电导率为1010~102Ω·cm固溶体半导体是由两个或多个晶格结构类似的元素化合物相融合而成有二元系和三元系之分如ⅣAⅣA组成的GeSi固溶体ⅤAⅤA组成的BiSb固溶体原子排列短程有序、长程无序的半导体成为非晶态半导体主要有非晶硅、非晶锗等 　　 　　二、半导体材料的制备工艺； 　　 　　不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长 　　 　　所有的半导体材料都需要对原料进行提纯要求的纯度在6个“9”以上最高达11个“9”以上提纯的方法分两大类一类是不改变材料的化学组成进行提纯称为物理提纯；另一类是把元素先变成化合物进行提纯再将提纯后的化合物还原成元素称为化学提纯物理提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等使用最多的是区域精制化学提纯的主要方法有电解、络合、萃取、精馏等使用最多的是精馏由于每一种方法都有一定的局限性因此常使用几种提纯方法相结合的工艺流程以获得合格的材料 　　 　　绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的直拉法应用最广80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的其中硅单晶的最大直径已达300毫米在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法用此法已生产出高均匀性硅单晶在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶悬浮区熔法的熔体不与容器接触用此法生长高纯硅单晶水平区熔法用以生产锗单晶水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶而垂直定向结晶法用于制备碲化镉、砷化镓用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片 　　 　　在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延外延的方法有气相、液相、固相、分子束外延等工业生产使用的主要是化学气相外延其次是液相外延金属有机化合物气相外延和分子束外延则用于制备量子阱及超晶格等微结构非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金属等衬底上用不同类型的化学气相沉积、磁控溅射等方法制成 　　 　　三、半导体材料的特性参数； 　　 　　半导体材料的特性参数对半导体的应用甚为重要因为不用的性质决定着不同的用途下面介绍晶体管、光电器件和温差电器件对半导体材料特性的要求 　　 　　1.晶体管对半导体材料特性的要求：根据晶体管的工作原理要求材料有较大的非平衡载流子寿命和载流子迁移率用载流子迁移率大的材料制成的晶体管可以工作于更高的频率（有较好的频率响应）晶体缺陷会影响晶体管的特性甚至使其失效晶体管的工作温度高温限决定于禁带宽度的大小禁带宽度越大晶体管正常工作的高温限也越高 　　 　　2.光电器件对材料特性的要求：利用半导体的光电导（光照后增加的电导）性能的辐射探测器所适用的辐射频率范围与材料的禁带宽度有关材料的非平衡载流子寿命越大则探测器的灵敏度越高而从光作用于探测器到产生响应所需的时间(即探测器的弛豫时间)也越长因此高的灵敏度和短的弛豫时间二者难于兼顾对于太阳电池来说为了得到高的转换效率要求材