铁道车辆电工电子基础教学课件作者曹阳任务11.pptVIP

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2019-10-14 发布于广东
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铁道车辆电工电子基础教学课件作者曹阳任务11.ppt

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１１. ３　晶闸管３．动态损耗（１）损耗曲线：将每一瞬时晶闸管电流与电压相乘，得到从导通到关断整个过程的晶闸管瞬时损耗曲线。（２）损耗曲线的组成： ① 通态损耗：晶闸管在稳定导通期的功率损耗。 ② 断态损耗：晶闸管在稳定断态期的功率损耗。 ③ 开通损耗：在开通过程中出现相当大的瞬时功耗。 ④ 关断损耗：在关断过程中出现较大的瞬时功耗。其中①②两部分属静态损耗，在低频工作时，它是晶闸管发热的主要原因。上一页下一页返回１１. ３　晶闸管 ③④部分属动态损耗，它们的瞬时值虽大，但持续时间很短，工作频率较高时，必须予以考虑。此外，还有两部分也属于动态损耗，即扩展损耗和过渡损耗其值都不大。１１.３.９　晶闸管的主要参数１．晶闸管的电压定额（１）断态重复峰值电压ＵＤＲＭ。ＵＤＲＭ是控制极断路而器件的结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。规定断态重复峰值电压ＵＤＲＭ为断态不重复峰值电压ＵＤＳＭ的９０％，ＵＤＳＭ小于正向转折电压Ｕｂｏ。晶闸管正向工作时有两种工作状态：阻断状态简称断态；导通状态简称通态。上一页下一页返回１１. ３　晶闸管（２）反向重复峰值电压ＵＲＲＭ。反向重复峰值电压ＵＲＲＭ是控制极断路而结温为额定值时，允许重复加在晶闸管上的反向峰值电压。规定反向重复峰值电压ＵＲＲＭ为反向不重复峰值电压ＵＲＳＭ的９０％。（３）额定电压。取断态重复峰值电压ＵＤＲＭ和反向重复峰值电压ＵＲＲＭ中较小的。选用时，额定电压应为正常工作峰值电压的２～３倍，作为允许的操作过电压裕量。（４）通态（峰值）电压ＵＴＭ。通态（峰值）电压ＵＴＭ是晶闸管通以π 倍或规定倍数额定通态平均电流值时的瞬态峰值电压，应该选择ＵＴＭ较小的晶闸管。上一页下一页返回１１. ３　晶闸管２．晶闸管的电流定额（１）通态平均电流ＩＴ（ＡＶ）。在环境温度为＋４０ ℃和规定的冷却条件下，带电阻性负载的单相工频正弦半波电路中，管子全导通（导通角θ 不小于１７０°）而稳定结温不超过额定值时所允许的最大平均电流（即工频正弦半波的通态电流在一个整周期内的平均值），称为通态平均电流ＩＴ（ＡＶ）。取通态平均电流ＩＴ（ＡＶ）的整数作为晶闸管的额定电流。上一页下一页返回１１. ３　晶闸管（２）维持电流ＩＨ。在规定的环境温度和控制极断路时，维持晶闸管导通所必需的最小主电流称为维持电流ＩＨ。维持电流ＩＨ的大小与结温有关，结温越高，则值越小。３．额定结温Ｔｊｍ器件在正常工作时所允许的最高结温称为额定结温Ｔｊｍ。在此温度下，一切有关的额定值和特性都能得到保证。上一页返回 11.4　绝缘栅双极型晶体管（ＩＧＢＴ） 11.4.1 ＩＧＢＴ的基本结构绝缘栅双极型晶体管（ＩｎｓｕｌａｔｅｄＧａｔｅＢｉｐｏｌａｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ，简称ＩＧＢＴ），是由双极型三极管ＢＪＴ（双极型三极管）和金属氧化物半导体场效应管（ＭＯＳ管）组成的复合全控型电压驱半导体三极管动式功率半导体器件，具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、导通电阻小、电流密度高，开关损耗低及工作频率高等特性，非常适合应用于直流电压为６００Ｖ及以上的变流系统。图１１－１５所示为ＩＧＢＴ的基本结构、等效电路及图形符号。下一页返回 11.4　绝缘栅双极型晶体管（ＩＧＢＴ）ＩＧＢＴ是一个三端器件，三个端子分别为集电极（用Ｃ表示），发射极（用Ｅ表示），栅极（用Ｇ来表示）。图１１－１５（ａ）所示为ＩＧＢＴ基本结构图，注入区与缓冲区之间有一个ＰＮ结Ｊ１，当高电平导通ＩＧＢＴ时，少子（从Ｐ＋基极注入Ｎ－层的空穴）由注入区涌入缓冲区，漂移区的电导率得到了调制，增强了ＩＧＢＴ的导电率。从图１１－１５（ａ）可见，ＩＧＢＴ由衬底到发射极是一个ＰＮＰ晶体管，其栅极到集电极有一个控制沟道，只要形成沟道，就向ＰＮＰ晶体管提供基极电流，ＰＮＰ晶体管的发射极成比例发射空穴，形成ＩＧＢＴ的集电极电流。上一页下一页返回 11.4　绝缘栅双极型晶体管（ＩＧＢＴ）可见，栅－发射极电压越高，沟道越宽，基极电流越大，输出电流也越大。因此，ＩＧＢＴ可等效为一个场效应晶体管和一个ＰＮＰ晶体管组成的达林顿管，如图１１－１５（ｂ）所示，图中电阻Ｒｄｒ是ＰＮＰ晶体管基区内的调制电阻，Ｒｂｒ是并联在ＮＰＮ晶体管基极和发射极之间的电阻。 11.4.2　ＩＧＢＴ的工作原理Ｎ沟道ＩＧＢＴ工作时，通过在栅极－发射极间加上阈值电压以上的正电压，在栅极电极正下方的Ｐ