真空获得和真空镀膜课件资料教程.ppt

真空蒸发镀膜主要包括以下几个物理过程： ①采用各种形式的热能转换方式，使镀膜材料蒸发或升华，成为具有一定能量（0.1~0.3eV）的气态粒子（原子、分子或原子团）； ②气态粒子通过基本上无碰撞的直线运动方式传输到基片； ③粒子沉积在基片表面上并凝聚成薄膜。 影响真空镀膜质量和厚度的因素很多，主要有真空度、蒸发源的形状、基片的位置、蒸发源的温度等。固体物质在常温和常压下，蒸发量极低。真空度越高，蒸发源材料的分子越易于离开材料表面向四周散射。真空室内的分子越少，蒸发分子与气体分子碰撞的概率就越小，从而能无阻挡地直线达到基片的表面。 当气体分子平均自由程等于蒸发源到基片的距离时，约有63％的分子会在途中发生碰撞；当平均自由程10倍于蒸发源到基片的距离时，就只有9％左右的分子在途中发生碰撞，可见只有当》d时，蒸发物质分子才能沿途无阻挡地、直线达到被镀基片或零件的表面．蒸发时一般要选择比d大2～3倍，因为在蒸发过程中，真空室内温度升高后要放出大量气体，会使真空度降低．要得到足够大的，就要求P足够小。一般实验室的真空镀膜中d在30cm左右，因此镀膜时常用的真空室气体压强为10-2～10-4Pa，这时的平均自由程与蒸发源到基片的距离相比要大得多。 如果蒸发物质的分子在蒸发后立即离去，并不回到原来的物质上，那么蒸发的速率可由朗谬尔(Langmuir)导出的公式决定： 式中M为待蒸发物质的摩尔质量，P为蒸气压，T为蒸发物质温度(K)。 在整个基片上获得厚度均匀的薄膜很重要，薄膜厚度的均匀性同蒸发源的形状有很大的关系。对于点蒸发源，基片平行放置在蒸发源的正上方，则膜厚分布为： 其中d0表示点源到基片垂直点的膜厚，h为垂直距离，l为基片点距离垂直点的距离，M为总蒸发质量。 对于微小平面蒸发源，有 目前，真空蒸发使用的蒸发源主要有电阻加热、电子加热、高频感应加热、电弧加热和激光加热等五大类。电阻加热采用钨、钼、钽等高熔点金属做成适当形状的蒸发源，或采用石英坩埚等。根据蒸发材料的性质以及蒸发源材料的浸润性等制作成不同的蒸发源形状， 真空技术 引言 “真空”这一术语译自拉丁文Vacuo，其意义是虚无。其实真空应理解为气体较稀薄的空间。在指定的空间内，低于一个大气压力的气体状态统称为真空。真空状态下气体稀薄程度称为真空度，通常用压力值表示。 真空技术是基本实验技术之一。自从1643年托里拆利(E. Torricelli)做了著名的有关大气压力实验，发现了真空现象以后，真空技术迅速发展。现在，真空技术已经成为一门独立的前言学科。它的基本内容包括：真空物理、真空的获得、真空的测量和检漏、真空系统的设计和计算等。随着表面科学、空间科学高能粒子加速器、微电子学、薄膜技术、冶金工业以及材料学等尖端科技的发展，真空技术在近代尖端科学技术中的地位越来越重要。 （1）真空的基本特点 在真空中，气体分子密度低，在某些情况下，真空可以近似地看作没有气体“污染”的空间。真空中，气体分子或带电粒子的平均自由程为： 其中为分子直径，p为压强，T为气体温度，k为玻耳兹曼常数。 例如室温下氮分子的平均自由程在压强为 时将长于50km。电子和离子在气体中的平均自由程分别时气体分子平均自由程的 5.66 和 1.41 倍。因此除非在宇宙空间，几乎所有地面上体积有限的超真空系统中，气体分子之间或气体分子与带电粒子之间的碰撞都可以近似忽略。 在普通高真空，例如 时，对于室温下的氮气， ，如果每次碰撞均被表面吸附，按每平方厘米单分子层可吸附 个分子计算，一个“干净”的表面只要一秒多钟就被覆盖满了一个单分子层的气体分子：而在超高真空 或 时，由同样的估计可知“干净”表面吸附单分子层的时间将达几小时到几十小时之久。 因此超高真空可以提供一个“原子清洁”的固体表面，可有足够的时间对表面进行实验研究。这是一项重大的技术突破，它导致了近二十年来新兴不明科学研究的蓬勃发展。无论在表面结构、表面组分及表面能态等基本研究方面，还是在催化‘腐蚀等应用研究方面都取得长足的发展。 超高真空的这一特点还为得到超纯的或精确掺杂的镀膜或分子束外延生长晶体创造了必要的条件，这促进了半导体器件