第二章基本结构.ppt

* * 共105页 整个复位电路包括芯片内、外两部分。 外部电路产生的复位信号（RST）送施密特触发器，再由片内复位电路在每个机器周期的S5P2时刻对施密特触发器的输出进行采样，然后才能得到内部复位操作所需要的信号。 复位操作有上电自动复位、按键电平复位和外部脉冲复位三种方式，示于图2-16中 。 * * 共105页 图2–16 复位电路 * * 共105页 程序执行方式是单片机的基本工作方式。由于复位后PC＝0000H，因此，程序执行总是从0000H开始的。一般在0000H开始的单元中存放一条无条件转移指令，以便跳转到实际主程序的入口去执行。 比如： ORG 0000H SJMP MAIN ；转主程序 ? 程序执行方式 * * 共105页 80C51有两种低功耗方式，即待机方式和掉电保护方式。待机方式和掉电保护方式时涉及的硬件如图2－17所示。 待机方式和掉电保护方式都是由电源控制寄存器（PCON）的有关位来控制的。 低功耗工作方式 电源控制寄存器格式如下： SMOD － － － GF1 GF0 PD IDL SMOD：波特率倍增位，在串行通讯时使用。 GF1、GF0：通信标志位1、0。 PD：掉电方位式，PD＝1，则进入掉电方式。 IDL：待机方式位，IDL＝1，则进入待机方式。若PD和IDL同时为1，则先激活掉电方式。 * * 共105页 图2–17 80C51单片微机低功耗方式的内部结构 PD * * 共105页 ⒈ 待机方式 ?⑴ 使用指令使PCON寄存器IDL位置1，则80C51进入待机方式，由图2-17中可看出这时振荡器仍然运行，并向中断逻辑、串行口和定时器/计数器电路提供时钟，中断功能继续存在?。????? 但向CPU提供时钟的电路被阻断，因此CPU不能工作，与CPU有关的如SP、PC、PSW、ACC以及全部通用寄存器都被冻结在原状态。 ⑵ 可以采用中断方式或硬件复位来退出待机方式。 在待机方式下，若产生一个外部中断请求信号，在单片机响应中断的同时，PCON.0位（IDL位）被硬件自动清‘0’， 单片机就退出待机方式而进入正常工作方式。在中断服务程序中安排一条RETI指令，就可以使单片机恢复正常工作，从设置待机方式指令的下一条指令开始继续执行程序。 * * 共105页 ⒉ 掉电保护方式 ?⑴PCON寄存器的PD位控制单片机进入掉电保护方式。 当80C51检测到电源故障时，除进行信息保护外，还应把PCON.1位置‘1’，使之进入掉电保护方式。此时单片机一切工作都停止，只有内部RAM单元的内容被保护。 ⑵ 只能依靠复位退出掉电保护方式。 80C51备用电源由Vcc端引入。当Vcc恢复正常后，只要硬件复位信号维持10ms，就能使单片机退出掉电保护方式。 在待机和掉电保护期间引脚的状态见表2－7。 * * 共105页 表2–7 待机和掉电保护方式时引脚状态 * * 共105页 ? 对于片内具有EPROM型程序存储器的87C51(87C52) 和片内具有闪速存储器的89C51 (89C52) 、78E51 (78E52) 等单片机可以通过编程来修改程序存储器中的程序。 89C51内部有一个4KB的Flash EPROM。编程接口可接收高电压(12V) 或低电压(VCC) 的允许编程信号。低电压编程方式可以很方便的与89C51内的用户系统进行编程；而高压编程方式则可与通用的EPROM编程器兼容。对于这二种编程方式的芯片面上的型号和片内特征字节的内容不同。 ⒈ 闪速存储器编程方式? 表2-8列出了89C51闪速存储器的编程、校验、写锁定位等时的逻辑电平。 编程方式 * * 共105页 表2–8 89C51闪速存储器的编程方式 * * 共105页 注意：⑴ 根据特征字节(地址为032H) 的内容选择合适的编程电压(VPP=12V或5V) ⑵ 片擦除操作时，要求PROG的脉冲宽度为10ms。 ⒉ 闪速存储器编程 ⑴ 在对89C51编程前，地址、数据、控制信号必须按表2-8和图2-18设置。 ?对89C51的编程的步骤如下： ?????? 在地址线上输入要编程存储器单元地址。 ?????? 在数据线上输入要写入的数据。 ?????? 按图2-19的要求输出编程和校验的时序。 ?????? 对于高压编程模式，将EA/VPP升至12V。 每对Flash存储阵列写入一个字节或每写入一个程序加密位，要向ALE/PROG输出一个编程脉冲。 ???? 改变地址和数据，重复以上几步操作，直至目标程序(OBJ文件) 结束。 字节写周期是自动定时