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- 2019-10-19 发布于广东
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PECVD工序 管理员手册 提 纲 1工序说明 2工作内容及要求 3事故案例分析 4点检表及附图 1. 工序说明 $1. 1 目的 本工序是通过等离子化学沉积的方式在硅片表面形成氮化硅薄膜,以增加表面的光吸收和减少硅片表面的载流子复合。 $1. 2 生产流程 (1)生产流程图 去磷硅玻璃后硅片 上片 预热 镀膜 冷却 卸片 转丝网印刷 (2)生产流程描述 生产员工把装有硅片的片盒从传递窗中取出放在储存柜中,再把片盒从储存柜中取出,用吸笔吸住非扩散面放到石墨框中(扩散面向下)。按进料台的“进板请求”按钮把装满硅片的石墨框送入PECVD腔体内,即进行镀膜工艺。待石墨框从腔体内出来,停在出料台上时,用真空吸笔把镀过膜的硅片吸出,放入承载盒内。 $1. 3 主要设备和工具 PECVD镀膜设备、石墨框、片盒、承载盒等 $1. 4 主要原辅材料 去磷硅玻璃后硅片、硅烷、氨气、氮气等 2.工作内容及要求 $2.1 生产管理 (1)质量监控 项目内容 要求 镀
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