直接水冷铜基钨涂层活动限制器在HT7等离子体辐照下W杂质产生行为研究.pptVIP

Summary of HT-7 2006 Spring Campaign 2007.08.30 本提案将开展对W/Cu活动限制器在HT-7 等离子体辐照下的W 杂质行为研究。 本次实验首次安装并使用光纤光谱仪监测铜基钨瓦活动限制器表面杂质的产生过程。 本提案也将考察现有的其他诊断对W 杂质的产生和传输行为研究工作的适用性。 Avantes Avaspec-2048 Fiber Optic Spectrometer 在欧姆放电情况下，等离子体的基本参数如下：等离子体电流约为150KA，环电压约为1.6V，电子密度约为1.5e19m-3。 活动限制器从HT-7的SOL区域（r 270mm）往等离子体边缘（a = 270mm）移动、然后直接与等离子体接触并成为主限制器（r 270mm）。 实验中共采用了以下位置逐步降低限制器：280，275，270，265，260。 Spectrum Results @ OHM Heating LHCD 驱动等离子体辐照实验 Spectrum Results @ LHCD W line relative intensity in OHM and LHCD 本次试验光纤光谱仪的安装使用在W杂质行为监测中取得了初步效果。 另外在本次实验过程中，由于涂层制备工艺的问题，活动限制器表面在局部小区域内出现了材料失效现象，其中位于电子侧的表面