形成集电极电流.ppt

由PCM、 ICM和V(BR)CEO 在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区，见图02.12。 图02.12 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区 晶体管参数与温度的关系 1、硅管温度每增加8?C（锗管每12 ?C )， ICBO增大一倍。 2、温度每升高 1?C，UBE将减小约 2 mV， 即晶体管具有负温度系数。 3、温度每升高 1?C，? 增加 0.5%~1.0%。 2.1.6 半导体三极管的型号 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 用字母表示材料 用字母表示器件的种类 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示同一型号中的不同规格 三极管 表02.01 双极型三极管的参数 参 数 型 号 P C M mW 125 125 100 500 50W 100 250W I C M mA VR CBO V VR CEO V VR