陶瓷电性电容.ppt

SBT晶体结构 Bi4Ti3O12晶体 §5-2 独石瓷的主要系列 ε小 高品质因数 高稳定性，高居里温度，适合作高频独石瓷料； 对称性低，可采用适当的定向工艺，如定向固化、定向反应以及热压、热锻、热压延等热加工处理制备与单晶相仿的各向异性陶瓷材料，即织构陶瓷； 由于存在(Bi2O2)2＋的滑移面(001)，且熔点低，易于在压力作用下发生大的蠕变； 2.2.2 Bi化合物的特点 烧结温度低：1050~1200℃ 烧结性能好，易得到致密烧结体 ρv高，1011～1013Ω·cm 晶粒均匀，大小为5~10μm 抗电强度高：约 45KV/mm 总之是一种较理想的不含铅的低温烧结、高频MLCC瓷料。 2.2.3 Bi化合物的优点 铌铋镁系 MgO-Bi2O3-Nb2O5 ε=90～150，tgδ＜10×10－4， ρv≥1011Ω·cm 铌铋锌系 ZnO-Bi2O3-Nb2O5 ε=75～140，tgδ≤5×10－4， ρv≥1011Ω·cm 性能、工艺优于铌铋镁系，烧成温度低：840～880℃ 2.2.4 Bi 化合物在MLCC瓷料中的应用 BaTiO3基瓷料的烧成温度在1300℃以上，若作为MLCC瓷料，则必须与钯或铂等贵金属作内电极，这样MLCC的成本就很高。为此研究烧结温度低，能与Ag或Ag-Pd电极匹配的改性BaTiO3基瓷料的工作就十分活跃，有以下几个系列: 1.加铋层化合物(Bi4Ti3O12、Bi4Zr3O12、Bi4Sn3O12、Bi2WO6、PbBi4Ti4O15) 2.?添加移动剂，助熔剂和改性剂 2.3 BaTiO3基瓷料 1.加铋层化合物(Bi4Ti3O12、Bi4Zr3O12、Bi4Sn3O12、Bi2WO6、PbBi4Ti4O15),降低烧结温度，中温烧结MLCC，采用Pd30-Ag70电极. 典型的液相烧结，Bi化合物玻璃相包裹BaTiO3相，由于它们的膨胀系数有明显差别，故产生应力而起展宽和移动作用。 特点：偏压特性好、ε高，损耗小、击穿强度高。 改性： a. 加入反铁电体 Pb(Cd1/2W1/2)O3、Pb(Co1/2W1/2)O3、Pb(Mg1/2W1/2)O3 b. 加入铁电体 Ba(Cu1/2W1/2)O3、BiFeO3。 烧结温度低于1100℃，但介电性能不甚理想。 上述讲的基本都是低温烧结的MLCC低频/高频瓷料，目的是为了降低成本。 2.4 PLZT系瓷料（反铁电体） 2. 添加移动剂，助熔剂和改性剂 a. LiF、PbO、Bi2O3、SiO2、B2O3等助熔剂，1100℃烧结，用Pd30-Ag70内电极 b.?加入Ce族元素氧化物：（La、Ce、Nd）。得到介电常数在宽的温度范围内稳定的瓷料，如BaO·Nd2O3·5TiO2(NPO 中温介电材料)。 c.?加入稀土元素，提高MLCC的寿命，如加入1mol％La，可提高寿命400～500倍。 §5-2 独石瓷的主要系列 难点:金属镍的熔点（1455℃）高于BaTiO3系陶瓷的烧结温度，但有一个致命的缺点是镍在空气中加热易氧化，这种镍内电极的MLCC就必须在强还原气氛的保护下烧成 含钛陶瓷在还原性气氛中往往会产生Ti4+→Ti3+还原，而使其丧失绝缘性能，甚至变成半导体，故我们需对BaTiO3系瓷料进行改性，使之具有一定的抗还原性，即所谓的抗还原性瓷料。 受主掺杂制备抗还原瓷料 §5-2 独石瓷的主要系列 目的：由于一般BaTiO3系MLCC需在1300℃以上烧成，故必须采用难氧化、高熔点的贵金属作为内电极。而MLCC的成本中内电极的成本就占30～80％,因此要降低MLCC的成本，必须采用廉价的金属来作为MLCC的内电极。 常用的廉价金属为镍和铜，镍的熔点比铜高。 2.5 抗还原瓷料 在[A]/[B]＞1，即，A位离子过量。虽γCa2+稍大于γTi4+，但少量Ca2+（＜2mol％）可挤入Ti4+位置，Ti4+位上的Ca2+起受主作用，产生非本征氧空位： （1） 而在还原气氛中烧结时，BaTiO3晶格上出现二价电离氧空位（本征氧空位）和在Ti4+3d能带内参与导电的两个电子： （2）