半导体表面与MIS结构.PDFVIP

半导体表面与MIS结构 Semiconductor Surface Metal-Insulator-Semiconductor Structure 广 泛 存 在 的 半 导 体 表 面 与 MIS 结 构 主要内容 §8.1 表面态 §8.2 表面电场效应 §8.3 MIS结构的电容-电压特性 §8.4 硅-二氧化硅系统的性质 §8.5 表面电导及迁移率 §8.6 表面电场对p-n结特性的影响 8.1 表面态：成因与特点 主要成因：理想晶体结构是无限延伸的格子，势场是周期性 连续的。实际晶体具有表面，晶格在表面处不完整，周期性 遭到破坏。 其他成因：晶体缺陷，吸附原子等。 理想表面的悬挂键 表面层 (Surface) 体材料 (bulk) 8.1 表面态：理想表面态的理论计算与密度 • 达姆表面能级：1932年达姆首先提出晶体自由表面的存在 使其周期场在表面处发生中断，同样引起附加能级，这种 能级称为达姆表面能级。 • “理想表面”的理论计算部分P195(8-1)至P196(8-14)。 结论为：电子的分布几率主要集中在x=0(表面)处，这种状 态称为表面态。对应的能级称为表面能级。 • Si晶体理想表面处因晶格突然终止，表面最外层每个Si原子 将有一个未配对的电子，称为悬挂键。悬挂键所对应的电 子能态就是表面态。 15 2 • 因Si原子面密度约10 /cm ，因此表面态密度也相应为约 15 2 10 /cm 。 • 表面态的存在是肖克莱(William Shockley)等首先从实验 中发现的。以后有人在超高真空环境对洁净硅表面进行测 量，证实表面态密度与理论结果相等。( 肖克莱1949年提出 了P-N结理论，布拉坦、肖克莱与巴丁一起共获1956年诺 贝尔奖) • 悬挂键能够俘获多子，使表面具备一层电荷，同时排斥 表面层附近的多子，可以使表面附近成为耗尽层甚至反型 层。 8.1 表面态：理想表面与实际表面 • 理想表面：假设表面层中原子排列的对称性与体内完全相 同，而且表面上不附着任何原子或分子的半无限晶体表面。 • 实际表面：近表面三维平移对称性受到破坏，实验观测到 共价半导体表面的再构现象。对于Si(111)面，超高真空中 观察到(7 ×7)结构。 • 即使在10-10mmHg(1.33 ×10-8Pa) 的超高真空中，也只能在 短期内保持“洁净表面”。经过数小时后，表面上形成 SiO 层，表面态密度比理论值降低，但由于Si-SiO 格子不 2 2 能匹配的完全适合，总有一部分悬挂键未饱和，因此表面 态密度并不会降低到零。 8.2 表面电场效应：采用MIS结构来进行研究 1. 采用MIS 的电容性结构来研究表面电场效应。 2. 理想情况的假设： (1)金属与半导体间功函数差为零。 (2)绝缘体内没有电荷而且绝缘层完全不导电。 (3)绝缘体与半导体界面处不存在任何界面态。 V E