半导体缺陷化学修.pptVIP

不掺杂BaTiO3缺陷模型 （a）根据缺陷类型随氧分压的上升将由氧空位占优势转化为钡空位占优势，那么在一定温度和氧分压下可出现满足化学计量比的本征状态，据此就可以求出禁带宽度； （b）材料的电学特性是各种缺陷共同作用的平均效果，由电中性方程和各平衡常数，可进一步了解材料的电导特性； （c）利用平衡常数与热力学参数的关系，可进一步确定缺陷的形成能。 * 施主掺杂BaTiO3缺陷模型 根据电中性方程和所求得的各个平衡常数，可以计算出电子浓度，进而确定材料的电导率。 由于BaTiO3受主掺杂，一方面可提高材料的介电性能；另一方面也可提高材料的PTC效应。因此，也需要讨论受主掺杂BaTiO3的缺陷模型。根据电中性方程和所求得的平衡常数，以及受主电离能，可计算出缺陷浓度及电导与氧分压的关系曲线，进而了解P型电导的情况。 受主掺杂BaTiO3的缺陷模型 * 施主掺杂BaTiO3的缺陷模型 BaTiO3晶格中引入高价金属离子（如三价金属离子取代Ba2+或五价金属离子取代Ti4+），为保持电中性将多余一个正电荷。该正电荷有两种不同的补偿方法： 1）一种为电子补偿，即正电荷吸引电子，该电子是弱束缚电子，易被激发成为导电电子； 2）另一种为缺位补偿，即形成金属离子空位，产生多余电子补偿正电荷。在室温下当电子补偿占主导时则成为半导体材料。缺陷补偿占主要时则成为绝缘材料