电子封装用w u 合材料的特性、 备及研究进展 乃良.pdfVIP

电子封装用W/Cu复合材料的特性、制备及研究进展/石乃良等 ·301 · 电子封装用W/Cu复合材料的特性、制备及研究进展 ‘ 石乃良，陈文革 (西安理工大学材料科学与工程学院，西安710048) 摘要 微电子工业的迅速发展对封装材料的综合性能提出了更为严格的要求。针对封装材料的发展趋势，阐 述了以W/Cu作为封装材料所应具备的性能要求及其制备技术，并对其发展方向进行了展望。 关键词 电子封装 W/Cu合金 研究进展 Characteristics，PreparationandResearchAdvanceofW-CuComposite MaterialforElectronicPackaging SHINailiang，CHENWenge (SchoolofMaterialsScienceandEngineering,XianUniversityofTechnology,Xian710048) Abstract Thedevelopmentofmicro-electronicindustryhasledtostrictclaimforthepropertiesofelectronic packagingmaterial.Accordingtothenewdevelopmentofpackagingmaterial,thedemandofcharacteristicsandprepa- rationtechnologyofW/Cucompositematerialforelectronicpackagingareexpoundedinthisthesis.Andthetendency todevelopW/Cucompositematerialonelectronicpackagingisreviewed. Keywords electronicpackaging,W/Cualloy,researchadvance 金方法。当前应用和研究的手段主要有:活化液相烧结法、熔渗 0 引言 法、注射成型法、纳米粒子法。 电子封装是把构成电子器件或集成电路的各个部件按规定 表1金属钨和铜的物理性能[s] 的要求实现合理布置、组装、键合、连接、与环境隔离和保护的操 Table1PhysicalpropertiesofmetalWandCu 作工艺，它要求所使用的封装材料既有高的导热率，又有低的 热膨胀率，而且起到机械支撑、电气连接、物理保护、外场屏蔽、 应力缓和、散热防潮、尺寸过渡以及稳定元件参数的作用。W/ Cu复合材料是由高熔点、高强度且热膨胀系数低的W和导电 导热性能良好的Cu所制成的互不固溶且能发挥各个组元特性 P,N-Ojf*/A/j,}JA./W/(M/gki/(/gm(cm(0_1((C33)/KC)))))4%911137..4635284A361.089.3566JA4.-4MtjniA1ti/%*Mtj/-/CPG1aPa034m53.}5821001.4n2118i,30543 的具有优异综合性能的、适用于大规模集成电路的封装材料之 一。但由于制备技术的限制，其性能不能得到充分的发挥，因 2.1活化液相烧结法 此，W/Cu复合材料已成为封装业研究和争论的热点之一。^}6] 活化液相烧结法是在高温液相烧结法基础上通过加人微量 1W/Cu材料作为电子封装材料的特点 活化元素来提高烧结活性，从而使材料达到高的致密性的方法。 高温液相烧结法就是通过在铜熔点以