第九章和第十章复习题.pptVIP

第九章 和第十章的复习 一、填空 1、使用PROM实现组合逻辑时，应首先把逻辑函数变换成____，而使用PLA实现组合逻辑时，应首先把逻辑函数变换成___。（A：最小项表达式，B：最大项表达式，C：最简与或式 ） 2、存储器容量的扩展有__扩展和__扩展两种方法。如把1K字×4位容量的2114RAM扩展为16K字×8位的RAM，则需____片2114和一个______译码器。 3、有一个存储器的容量为1024字×8位，则该存储器共有____个基本存储单元，共存有____字，每字有____位，该存储器共有____个2114。 4、某RAM存储器矩阵采用32×32的形式，行地址译码器采用5/32线译码器；列地址译码器采用3/8线译码器，则可知该RAM有_____个存储单元。该存储矩阵共有____个字，每个字有_____位，其列地址译码器的每根输出线接存储矩阵的____列。 5、存储器的容量用___和___的乘积表示。构成16K×16位的RAM需要_____片容量为1K×4的2114，这时应有_____条地址线，一次读出操作选中____。 6、RAM在工作时，可以按地址对指定单元____或____数据；而ROM在工作时，只能_____指定单元的数据。（擦出、读取、存放） 7、一个RAM的容量为1024字×8位，则该RAM共有____个基本存储单元，工作时每次访问____个基本存储单元，有____个地址端。 8、使用GAL16V8最多可设置____个输入端，最多可设置____个输出端。 9、说明下表中所列5种器件的与、或阵列是固定结构还是可编程结构（在表内对应小格中打“√”）。 10、GAL16V8共有____个管脚，其中输入端最多可有____个，输出端最多可有_____个，其OLMC在结构控制字的作用下可以构成____种不同的工作模式。 11、PLD按制造工艺可以分为_________________， _________________，______________三类，按集程度可以分为________和___________两类。 12、PAL和GAL的相同之处是基本结构都是_____阵列可编程，_____阵列固定。不同之处是_____（PAL，GAL）的输出结构是固定的，而_____（PAL，GAL）的输出结构可由用户编程确定。 二、用ROM设计两个一位二进制数a和b及进位输入c的全加器，设本位和为S,进位输出为CO。 三、由EPROM构成的电路如下，试分析电路，列出真值表，填写功能。 1、X、Y、Z的真值表为： 2、该电路的逻辑功能是___________________________________________ 四、由PROM和DFF构成的电路如图所示，设Q1Q2Q3的初态为000。 1）试填写Q1Q2Q3的状态转移表。 2）试写出序列码F码型。 3）试说明这是什么功能的电路。 F11011100，··· 功能：M=8列码发生器。 五、试用ROM实现下列多输出函数电路。 解：