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光刻工艺技术基础
加工平台王逸群
光刻简介
从半导体制造的初期，光刻就被认为是集成电路制造工艺发展的驱动力。
光刻的本质是把制作在掩膜版上的图形复制到以
后要进行刻蚀和离子注入的晶圆上。其原理与照相
相似，不同的是半导体晶圆与光刻胶代替了照相底
片与感光涂层。
光刻流程图
前道工艺
清洗 表面处理 涂胶 前烘
对准
曝光
坚膜 显影 后烘
核心工艺
否
去胶 检查
黄光室 较高的环境要求
通过
刻蚀 注入
基本工艺流程
• 旋转涂胶 •对准和曝光 • 显影
光源
光刻版
光刻胶
衬底
光刻胶
光刻胶是一种有机化合物，受紫外曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。
晶片制造中所用的光刻胶通常以液态临时涂覆在表面，而后被干燥成胶膜。通
过曝光来传递设计图案
正性光刻胶
正性光刻胶曝光后软化变得可溶
负性光刻胶
负性光刻胶在曝光后硬化变得不能溶解。
UV
负性胶
衬底
显影 正性胶
衬底
resister
衬底
光刻版 光刻胶
光刻胶的主要成分
光敏剂
光刻胶材料的光敏成分
树脂
惰性聚合物基质，用于把光刻胶中的不同材料聚在一
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