面向SoC和微处理器应用高效率20A单片式Silent.PDF

設計要點 面向SoC 和微处理器应用的高效率 20A 单片式Silent Switcher®2 稳压器 Zhongming Ye 对于工业和汽车系统中使用的先进 SoC (片内系统) 解 图 1 示出了一款用于 SoC 和 CPU 电源的 1.2V/ 20A 决方案而言 ，功率预算持续地攀升。接连推出的每一 输 出 解 决 方 案 ，其 采 用 了 开 关 频 率 为 1 M H z 的 代 SoC 都增添了高功耗器件并提升了数据处理速度。 LTC7150S。该电路可容易地进行修改以适应其他的 这些器件需要可靠的电源 ，包括用于内核的 0.8V ，用 输出组合 ，包括 3.3V、1.8V、1.1V 和 0.6V ，从而利用 于 DDR3 和 LPDDR4 的 1.2V 和 1.1V ，以及用于外设和 LTC7150S 的宽输入范围。LTC7150S 拥有作为第一级 辅助组件的 5V、3.3V 和 1.8V。此外 ，先进 SoC 的性 5V 电源的输出电流能力 ，在它的后面可布设一些位 能要求高于传统 PWM 控制器和 MOSFET 所能提供的 于不同输出的下游第二级开关稳压器或 LDO 稳压器。 水平。因此 ，所需的解决方案必须更加紧凑、具有较 高的电流能力、较高的效率 ，而且更重要的是必须拥 具卓越 EMI 性能的 Silent Switcher 2 有优越的 EMI 性能。这里正是我们 Power by Linear™ 在高电流条件下通过 EMI 规则条例通常需要面对精细 单片式 Silent Switcher 2 降压型稳压器的用武之地 ， 复杂的设计和测试难题 ，包括在解决方案尺寸、效 此类器件能够满足先进 SoC 的功率预算 ，同时符合 率、可靠性和复杂性等诸多因素之间的大量权衡折 SoC 的尺寸和热限制条件。 衷。传统方法是通过减慢 MOSFET 开关边缘速率和 / 或降低开关频率来控制 EMI。这两种策略均涉及权衡 采用 20V 输入的 20A 解决方案适用于 SoC 取舍 ，例如 ：效率下降、最小接通和关断时间增加、 ® LTC 7150S 抬升了 “高性能”在工业和汽车电源中的 以及解决方案尺寸增大等。诸如采用复杂庞大的 EMI 门槛。该器件具有高效率、小外形尺寸和低 EMI。集 滤波器或金属屏蔽等其他 EMI 抑制方法则在电路板空 成化高性能 MOSFET 和热管理功能电路可在没有散热 间、组件和装配方面增加了显著的成本 ，同时还使热 或冷却气流的情况下依靠高达 20V 的输入电压可靠 管理和测试工作复杂化。 和连续地输送高至 20A 的电流 ，因而使其非常适合 工业、交通运输和汽车应用中的 SoC、FPGA、DSP、 GPU 和微处理器 (μP)。 图 1 所示电路的效率与功率损失的关系曲线