Q_SYMC 004-2017纳米位移电容传感器.pdf

ICS 01.040.39 N10 Q/SYMC 三英精控 （天津）仪器设备有限公司企业标准 Q/SYMC004-2017 纳米位移电容传感器 2017-05-01发布 2017-05-20实施 三英精控 （天津）仪器设备有限公司 发 布 前  言 本标准按照GB/T 1.1-2009 《标准化工作导则 第1部分：标准的结构和编写》的规定编制。 本标准由三英精控 （天津）仪器设备有限公司提出并负责起草。 本标准由三英精控 （天津）仪器设备有限公司负责解释。 本标准主要起草人：须颖、贾静、文杰、王慧锋、田宁宁、于洪明。 本标准为首次发布。有效期至2021年12月31日。 I 纳米位移电容传感器 1、范围 本标准规定了纳米位移电容传感器 （以下简称为传感器）的测量条件和测量方法。 本标准适用于传感器产品的研究、设计、生产、检测及使用。 2、规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本 （包括所有的修改单）适用于本文件。 GB 7665-1987 传感器通用术语 GB/T 18459─2001─T 传感器主要静态性能指标计算方法 GB 7666-1987 传感器命名方法及代号 GB/T 2423.1-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验A：低温 GB/T 2423.2-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验B：高温 GB/T 2423.10-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验Fc：振动 （正弦） GB/T 17626.2-2006 电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验 GB/T 17626.11-2006 电磁兼容 试验和测量技术 电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度试验 GB/T 191-2008 包装储运图示标志 3、术语和定义 下列术语和定义使用于本标准。 3.1 纳米位移电容传感器 基于电容感知的具有微位移测量功能的传感器，以下简称为传感器。 3.2 传感器材料 用于制造传感器测头主体机械结构的物质。 3.3 传感器尺寸 表征传感器测头外部轮廓的几何量，通常以毫米(mm)为单位。 3.4 温度灵敏度 温度变化对传感器的影响，常用单位：nm/℃。 3.5 湿度灵敏度 湿度变化对传感器的影响，常用单位：RH/℃ 3.6 测量范围 在保证性能指标的前提下，用最大被测量 （测量上限）和最小被测量 （测量下限）表示的区间。 3.7 量程 测量上限与测量下限的代数差。 3.8 有效测量区域 测头表面参与直接测量的区域。 3.9 有效带宽 -3dB带宽，即输出信号幅值衰减到输入信号幅值3dB时对应的频率。 1 3.10 分辨力 在有效带宽下，传感器噪声的RMS值。 3.11 线性度 在量程范围内，传感器实际位置偏离其拟合直线相应位置的程度。表示为最大偏差与量程的百分比。 4、技术要求 4.1 外观 应确认无影响测量正确性实施和测量结果的外观缺陷。 4.2 环境适应性 产品应能在下表规定的环境下正常工作。 条件 正常工作 环境温度 （20±1）℃，其变化应不大于0.5℃/h