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离子注入 将杂质离化、加速，注入到晶体内部经退火形成特定杂质分布的技术。 离子注入的特点 注入杂质的纯度高 杂质浓度范围选择宽 可精确控制杂质的分布和深度，均匀性好 低温工艺 掺杂工艺灵活 横向扩散小 离子注入的设备 离子源 离子加速 质量分析器 扫描装置 工艺腔（终端台） 等离子体技术在VLSI中的应用 1.等离子体清洗技术 2.离子注入 3.干法刻蚀 4.等离子体增强化学气相淀积（PECVD） 干法刻蚀 干法刻蚀：利用等离子体激活的化学反应或者是利用高能离子束轰击完成去除物质的方法。 干法刻蚀主要分为以下三种： 一种是利用辉光放电产生的活性粒子与需要刻蚀的材料发生化学反应形成挥发性产物完成刻蚀，也称为等离子体刻蚀。 第二种是通过高能离子轰击需要刻蚀的材料表面，使材料表面产生损伤并去除损伤的物理过程完成刻蚀，称为溅射刻蚀。 两种结合产生第三种刻蚀方法称为反应离子刻蚀。 等离子体刻蚀原理 等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性生成物而被去除。它的优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌。 等离子刻蚀的原理 等离子体中存在有离子、电子和游离基（游离态的原子、分子或原子团）等，这些游离态的原子、分子或原子团等活性粒子，具有