中职中专电子线路.pptVIP

二、场效晶体管的特点 场效晶体管与普通三极管比较表 项 目 器 件 名 称 晶体三极管 场 效 应 管 极型特点 双 极 型 单 极 型 控制方式 电 流 控 制 电 压 控 制 类 型 PNP 型、NPN 型 N 沟道、P 沟道 放大参数 ? = 50 ~ 200 gm= 1 000 ~ 5 000 μA/V 输入电阻 102 ~ 104 W 107 ~ 1015 W 噪 声 较 大 较 小 热稳定性 差 好 抗辐射能力 差 强 制造工艺 较 复 杂 简单、成本低 工程应用——场效晶体管使用常识 结形场效晶体管的栅源电压必须使 PN 结反偏，不能接反。因结型场效晶体管的源极及漏极通常制成对称的，所以原极和漏极可以调换使用。 绝缘栅场效晶体管中，有的产品将彻底引出(有四个管脚)，此时源极和漏极可以互换使用，但有的产品在制造时已把源极和衬底连接在一起，这种管子源极和漏极就不能调换使用。 绝缘栅场效晶体管由于输入电阻很高，如果在管脚开路状态下保存 ，会使管子还未使用时就已击穿或性能下降。因此，无论管子使用与否，都应将三个电极短路或用铝箔包好。结型场效晶体管可以在开路状态下保存。 本章小结 晶体三极管是一种电流控制器件，具有电流放大作用；使用时有三种基本连接方式，最常用的是共发射极接法；有三种工作状态，即截止、饱和和放大状态；三个电极的电流关系是，在放大状态时； ? 值表示电流放大能力的大小；ICBO、ICEO 反映了管子温度稳定性；三极管有 NPN型和PNP型两大基本类型。 场效晶体管是一种电压控制器件，用栅极电压来控制漏极电流；具有高输入电阻和低噪声的特点；表征管子性能的有转移特性曲线、输出特性曲线和跨导；它有结型场效晶体管和绝缘栅场效晶体管两大类，每类又有 P 沟道、N沟道的区别；绝缘栅场效晶体管另有增强型和耗尽型两种。 * 本章重点 掌握晶体三极管的结构、工作电压、基本连接方式和电流分配关系。 熟练掌握晶体三极管的放大作用；共发射极电路的输入、输出特性曲线；主要参数及温度对参数的影响。 了解 MOS 管的工作原理、特性曲线和主要参数。 * 本章难点 晶体三极管的放大作用。 输入、输出特性曲线及主要参数。 * 学时分配 序 号 内 　　 容 学 时 1 2.1　晶体三极管 4 2 2.2　场效晶体管 4 3 本章小结 4 本章总课时 8 * 共发射极输入特性曲线 　　4．三极管导通后，VBE 基本不变。硅管约为 0.7 V ，锗管 约为 0.3 V ，称为三极管的导通电压。 5．VBE 与 IB 成非线性关系。 　　3．当 VBE 大于门槛电压(硅管约 0.5 V，锗管约 0.2 V)时，IB 逐渐增大，三极管开始导通。 二、晶体三极管的输出特性曲线 　　基极电流一定时，集、射极之间的电压与集电极电流的关系曲线。 动画 晶体三极管的输出特性曲线 输出特性曲线可分为三个工作区: 1．截止区 条件：发射结反偏或两端电压为零。 特点： IB = 0，IC = ICEO 。 2．饱和区 条件：发射结和集电结均为正偏。 特点：VCE = VCES。 VCES 称为饱和管压降，小功率硅管约 0.3 V，锗管约为 0.1 V。 3．放大区 条件：发射结正偏，集电结反偏。 特点： IC 受 IB 控制 ，即 ?IC = ??IB 。 　　在放大状态，当 IB 一定时，IC 不随 VCE 变化，即放大状态的三极管具有恒流特性。 2.1.5　三极管主要参数 三极管的参数是表征管子的性能和适用范围的参考数据。 一、共发射极电流放大系数 1．直流放大系数 2．交流放大系数 ? 　　电流放大系数一般在 10 ~ 100 之间。太小，放大能力弱，太大易使管子性能不稳定。一般取 30 ~ 80 为宜。 二、极间反向饱和电流 1．集电极— —基极反向饱和电流 ICBO。 2．集电极— —发射极反向饱和电流 ICEO。 ICEO = ( 1 + ? ) ICBO　　　　　 　 　　反向饱和电流随温度增加而增加，是管子工作状态不稳定的主要因素。因此，常把它作为判断管子性能的重要依据。硅管反向饱和电流远小于锗管，在温度变化范围大的工作环境应选用硅管。 三、极限参数 1．集电极最大允许电流 ICM 三极管工作时，当集电极电流超过 ICM 时，管子性能将显著下降，并有可能烧坏管子。 2．集电极最大允许耗散功率 PCM 当管子集电结两端电压与通过电流的乘积超过此值时，管子性能变坏或烧毁。 3．集电极— —发射极间反向击穿电压 V(BR)CEO 管子基极开路时，集电极和发射极之间的最大允许电压。当电压越过此值时，