第3讲 光电式传感器.pptVIP

第3章 光电式传感器 　　主要内容： 　3.1 光电效应 3.2 光电器件 光电管、光电倍增管、光敏电阻、光电晶体管、 光电池、其他光电器件、电荷耦合器 　 概述 概述 入射光强改变物质导电率的物理现象称光电导效应。 工作原理： 3.2 光电元器件 二.光敏电阻的主要参数和基本特性 （1）暗电阻、暗电流、亮电阻、亮电流、光电流 亮电流与暗电流之差为光电流 用于描述光电流与光照强度之间的关系。 多数是非线性的。不宜做线性测量元件，一般用做开关式的光电转换器。 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 光通量/lm 光电流/mA （2）光照特性 （3）光谱特性 硫化镉的峰值在可见光区域，硫化铅的峰值在红外区域。故选用时要把元件和光源结合起来考虑。 0 500 1000 1500 2000 2500 20 40 60 80 100 硫化镉 硫化铊 硫化铅 入射光波长/nm 相对灵敏度/% (4) 伏安特性 所加的电压越高，光电流越大，而且没有饱和的现象。 在给定的电压下，光电流的数值将随光照增强而增大。 0 10 20 30 40 50 50 100 150 200 250 I/ μA U/V （5）频率特性 时间常数：光敏电阻自停止光照起到电流下降为原来的63%所需要的时间。 入射光调制频率/Hz 相对灵敏度/% 0 10 102 103 104 20 40 60 80 100 硫化镉 硫化铅 光敏电阻的频率特性 多数光敏电阻的时间常数都很大。 (6)温度特性 峰值随温度上升向波长短的方向移动。 20 40 60 80 100 0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 λ/μm 相对灵敏度（%） +20 oC -20 oC 光敏电阻的光谱温度特性 初制成的光敏电阻，性能不稳定。但在人工加温、光照及加负载情况下，性能可达稳定。光敏电阻在最初的老化过程中，阻值会有变化，但最后达到稳定值后就不再变化。这是光敏电阻的主要优点。 光敏电阻的使用寿命在密封良好、使用合理的情况下几乎是无限长的。 （7）稳定性 3.2.4 光电池 光电池是利用光生伏特效应把光直接转变成电能的光电器件。由于它可把太阳能直接转变为电能，因此又称为太阳能电池。它有较大面积的PN结，当光照射在PN结上时，在结的两端出现电动势。故光电池是有源元件。 1. 光电池的结构和工作原理 光电池的结构图 下电极 梳状电极 SiO2抗反射膜 P N 硅光电池的结构如图。它是在一块N型硅片上用扩散的办法掺入一些P型杂质（如硼）形成PN结。 东北石油大学 二.基本特性 （１）光谱特性 故硒光电池适用于可见光，常用于分析仪器、测量仪表。如用照度计测定光的强度。 硅光电池的光谱峰值在800nm附近，硒的在540nm附近。 20 40 60 80 100 硒 硅 入射光波长λ/nm 0 400 600 800 1000 1200 相对灵敏度/% (2) 光照特性 ①不同光照射下有不同光电流和光生电动势。 ②短路电流在很大范围内与光强成线性关系。 开路电压 0.1 0.3 0.2 照度/lx 0 2000 4000 光生电流/mA 0.2 0.6 0.4 光生电压/V 短路电流 ③开路电压与光强是非线性的，且在2000 lx时趋于饱和。④光电池作为测量元件时，应把它作为电流源的形式来使用，不宜用作电压源，且负载电阻越小越好。 (3) 频率特性 硅光电池有很高的频率响应，可用于高速记数、有声电影等方面。 光电池的频率特性是反映光的交变频率和光电池输出电流的关系。 20 40 60 80 100 硒光电池 硅光电池 0 1500 3000 4500 6000 7500 相对光电流/% 入射光调制频率/Hz (4) 温度特性 主要描述光电池的开路电压和短路电流随温度变化的情况。 开路电压随温度升高而下降的速度较快。 短路电流随温度升高而缓慢增加。 因此作测量元件时应考虑进行温补。 开路电压 温度/℃ 光生电流/mA 1.8 2.2 2.0 光生电压/V 短路电流 100 200 300 400 500 0 20 40 60 80 100 * 集散控制