第3章 晶圆制备 14.docVIP

第 3 章 晶圆制备 在这一章里,将说明 沙子 转变成 晶体 ,以及 晶圆 ;和用于芯 片制造级的 抛光片 的生产步骤。 3.1 简介 高密度和大尺寸芯片的发展需要 大直径 的晶圆。 在 20世纪 60年代 开始使用的是 1英寸直径 的晶圆(1英寸 =2.54cm,而现在业界根据 20世纪 90年代的工艺要求生产 200毫 米直径的晶圆 ; 300毫米 直径的晶圆也已经投入生产线了。 根据半导体工业协会(SIA 的技术路线图,到 2007年, 300毫米 直径的晶圆将成为标准。 以后预期会是 400毫米 或 450毫米 直径的晶圆。大直径的晶圆 是由不断 降低芯片成本 的要求驱动的。 然而,这对晶圆制备的 挑战 是巨大的。大直径意味着 高重 量 ,这就需要 更多坚固 的工艺设备。在晶体生长中,晶体结构上 和电学性能一致性及 污染 的问题是一个挑战,这些挑战和几乎每 一个参数更紧的工艺规格要求共存。与挑战并进和提供更大直径 晶圆是芯片制造不断进步的关键。 3.2 半导体硅制备 半导体器件和电路在半导体材料晶圆的表层形成, 这里半导体 材料通常是 硅 。 这里: (1这些晶圆的 杂质含量 水平必须非常低。 (2必须 掺杂 到指定的电阻率水平。 (3必须是指定的 晶体结构 ,必须是光学的 平面 ,并达到许 多机械及 清洁度 的规格要求。 ?制造 IC 这一级的硅晶圆分如下 4个阶段 进行,即晶圆制备阶段 有: (1 矿石 到高纯度 气体 的转变; (2 气体 到 多晶 的转变; (3 多晶 到 单晶 , 掺杂晶棒 的转变; (4 晶棒 到 晶圆 的转变。 这里第一个阶段是从泥土里选取和提纯半导体材料的原料。 提纯从化学反应开始。 对于硅, 化学反应是从 矿石 到 硅化物气体 ,例如四氯化硅或 三氯硅烷。杂质(例如其他金属,则留在矿石残渣里。 之后 , 硅化物 再和 氢 反应生成 半导体级的硅 。 2 SiHCl3(气体 + 3 H2(气体 → 2 Si(固体 + 6 HCl(气体 氢气还原三氯硅烷 这样的硅的纯度达 99.9999999%, 是地球上最纯的物质之一。 它有一种称为 多晶 或 多晶硅 (polysilicon 的晶体结构。 3.3 晶体材料 材料中 原子的组织结构 是导致材料不同的一种方式。 有些材料,例如硅和锗,原子在整个材料里重复排列成非常 固 定 的结构,这种材料称为 晶体 (crystal 。 原 子 没 有 固 定 的 周 期 性 排 列 的 材 料 称 为 非 晶 体 或 无 定形 (amorphous。 塑料 就是无定形材料的例子。 3.3.1 晶胞 对于晶体材料实际上有 两个级别 的原子组织结构。 第一个级别 是 单个原子 的组织结构,即 晶胞 (unit cell结构。晶胞结构在晶 体里到处重复。 ? 注 :另一个涉及晶胞结构的术语是 晶格 (lattice 。晶体材 料具有特定的晶格结构,并且原子位于晶格结构的特定点。 在晶胞里原子的 数量 、 相对位置 及原子间的 结合能 , 会引发材 料的许多特性。 每个晶体材料具有独一无二的晶胞。 例如, 硅晶胞 具有 16个原子排列成的金刚石结构。 硅晶胞 砷化镓晶体具有 18个原子的晶胞结构,称为闪锌矿结构。 砷化镓晶体结构 3.3.2 多晶和单晶 晶体结构的 第二个级别 和晶胞的 构成 (结构有关。 ?在本征半导体中,晶胞间 不是规则排列 的。 这种情形和方糖杂乱无章地堆起来很相似。每个方糖代表一个 晶胞。称这样排列的材料具有多晶结构。 ?当晶胞间有规则地排列时,称这样排列的材料具有单晶结构。 多晶 单晶 多晶和单晶结构 ?单晶结构与多晶结构的特点。 单晶材料比多晶材料具有更一致和更 可预测 的特性,例如可 预测半导体里的电子流动。 在晶圆制造工艺的结尾,晶体的一致性对于将分割晶圆成无 粗糙边缘的晶元是至关重要的。 3.3.3 晶体定向 对于一个晶圆, 除了要有单晶结构之外, 还需要有特定的晶向 (crystal orientation。 通过切割上图所示的单晶块可以想像这个概念。在 垂直平面 上切割将会暴露 一组平面; 而 角对角 切割将会暴露一个 不同的平 面 。 每种平面的区别在于:(1 原子数 和原子间的 结合能 不同。 (2 每个平面具有不同的化学、电学和物理特性。 这些对晶圆的特性有较大影响。这里,晶圆要求特定的晶体 定向。 ? 晶面的表示 可通过一系列称为 密勒指数 的三个数字的组合来表示。 例如 ,在下图中,有 两个 简单的 立方晶胞 嵌套在三维 xyz 坐标 系中。在 硅晶圆 中最通常使用的两种晶向是 100 和 111 晶 面。晶向描述成 1-0-0 面 和 1-1-1面 ,尖括号表示这三个数是密 勒指数。 晶面 10