第三章 半导体中的载流子的统计.pptVIP

第三章 半导体中的载流子的统计分布 1、 状态密度 2、 分布函数 3、 载流子浓度 4、 本征半导体 5、 杂质半导体 6、 简并半导体 基本概念 1 载流子的产生、产生率 a）本征半导体（无杂质缺陷） n0=p0 b）杂质半导体 产生率：单位时间单位体积 中产生的载流子数。 （反映产生过程的强烈程度） 2 载流子的复合、复合率 3 热平衡态：产生率=复合率 4 热平衡载流子： 处于热平衡状态下的电子与空穴。 　　　　温度　　　　建立新的平衡 实质：半导体中热平衡载流子浓度的计算。 热平衡载流子浓度计算思路 １　求出能带中单位能量间隔里允许容纳的量子态数 　　　　－－状态密度　　ｇ（Ｅ） 　　区别概念： 　ａ）ｋ空间的状态密度－均匀的 　ｂ）能带内的状态密度ｇ（Ｅ） 　　　－Ｅ的函数、随Ｅ变化 允许的量子态上电子占有的几率－统计分布规律ｆ（Ｅ） 对整个能带求积分－得到整个能带中的电子数 得到的电子数除以晶体体积－能带中电子浓度 　导带中电子浓度 3.1　　　状态密度ｇ（Ｅ） 1. 极值点 k0=0，E(k)为球形等能面 导带底附近单位能量间隔内的量子态数目,随着电子的能量增加按抛物线关系增大. 2、Si、Ge（旋转椭球）