半导体物理器件 Chapter3V.pptVIP

1947.12.23日第一只点接触晶体管诞生-Bell Lab.(Bardeen、Shockley、Brattain) 1949年提出PN结和双极结型晶体管理论-Bell Lab.(Shockley)1951年制造出第一只锗结型晶体管-Bell Lab.(Shockley)  1956年制造出第一只硅结型晶体管-美德州仪器公司（TI） 1956年Bardeen、Shockley、Brattain获诺贝尔奖 1956年中国制造出第一只锗结型晶体管-（吉林大学 高鼎三） 1970年硅平面工艺成熟，双极结型晶体管大批量生产 3.1双极结型晶体管的结构 3.1双极结型晶体管的结构 3.1双极结型晶体管的结构 光刻硼扩散窗口 3.1双极结型晶体管的结构 3.2基本工作原理 3.2基本工作原理 3.2.1共基极连接晶体管的放大作用 3.2基本工作原理 3.2.2电流分量 3.2基本工作原理 3.2.2电流分量 3.2基本工作原理 为描述晶体管的增益特性引进以下物理量 发射极注射效率 3.2基本工作原理 3.2基本工作原理 3.2基本工作原理 3.2基本工作原理 学习要求 掌握四个概念：发射效率、基区输运因子、共基极电流增益、共发射极电流增益 了解典型BJT的基本结构和工艺过程。 掌握BJT的四种工作模式。 画出