非晶氮化硼薄膜的场致电子发射研究.docVIP

第29卷　第12期　 2002年12月 中　国　激　光 Vol.A29,No.12 　 December,2002 　　文章编号:025827025(2002)1221110203 非晶氮化硼薄膜的场致电子发射研究 张　兰,马会中,姚　宁,胡欢陵,张兵临 3 1,312323 郑州大学1工程力学系,2物理工程学院,河南郑州450052中国科学院安徽光学精密机械研究所,安徽合肥230031 提要　利用脉冲激光沉积(PLD)技术在镀钛的陶瓷衬底上制备出了非晶态氮化硼薄膜,借助于X射线衍射 (XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及Raman光谱分析了该薄膜的结构,并研究了薄膜场致电子发射特性,阈值电场为 μm,当电场为9VΠμm时,电流密度为50μ416VΠAΠcm。关键词　氮化硼薄膜,脉冲激光沉积,场致电子发射中图分类号　O484　　　文献标识码　A 2 FieldElectronBoronNitrideFilm G12,YAONing,HUHuan2ling,ZHANGBinglin 2 232 mentofEngineeringMechanics,DepartmentofPhysics, 3 ZhengzhouUniversity,Zhengzhou,Henan450002;AnhuiInstituteof OpticsandfineMechanics,TheChineseAcademyofSciences,Hefei,AnhuiAbstract　Amorphousboronnitridethinfilmwaspreparedonthetitaniumcoatedceramicsubstratebypulsedlaserdepositiontechnique(PLD).ThemicrostructureofthefilmwasexaminedbyusingX2raydiffraction,scanningelectronmicroscopyandRamanspectroscopy.Theelectronfieldemissioncharacteristicswereinvestigated.Theturn2onfieldwas μm.Thecurrentdensitywas50μμm.4.6VΠAΠcmatanelectricfieldof9VΠ Keywords　boronnitridethinfilm,pulsedlaserdeposition(PLD),fieldelectronemission 2 1　引　言 　　随着场发射平板显示技术的不断发展,寻找好的冷阴极材料的工作受到了人们的广泛关注。近年来,金刚石、类金刚石、纳米碳管等碳基薄膜被认为 [1～3] 是好的冷阴极场发射材料。立方氮化硼(c2BN)薄膜与金刚石薄膜有着相似的特性,如高的硬度、电 [4] 阻率和热导率,且其易掺杂性比金刚石薄膜更优越,因此立方氮化硼薄膜作为超硬涂层及半导体材料受到了人们的重视。六方氮化硼(h2BN)也具有好的热稳定性、化学稳定性,作为好的润滑材料受到人们的关注。立方氮化硼与六方氮化硼均是宽带隙 材料,因此,在一定条件下可能具有较低的电子亲和势,而具有好的场致电子发射特性。对于立方氮化硼薄膜的场发射特性近来已有研究报道。TakashiSugino,ChiharuKimura等报道了采用等离子体辅助化学气相沉积(PACVD) 方法制备出了立方氮化 硼薄膜,并研究了该薄膜的场致电子发射特性,其场 μm[5,6]。发射阈值电场为7VΠ 非晶态BN因制备方法而异,其带隙为414～519eV,也属于宽带隙材料,因此也有可能成为冷阴 极场发射材料,但目前尚未见到对非晶氮化硼场致电子发射特性的研究。本文报道了用长脉冲激光沉积(PLD)技术制备非晶氮化硼薄膜,并研究了其场 　　收稿日期:2002204228;收到修改稿日期:2002207209 　　基金项目:863计划新材料领域项目和河南省自然科学基金(编号:004042000)资助项目。 ),女,讲师,中国科学院安徽光学精密机械研究所博士研究生,主要从事激光与物质相互作用及材　　作者简介:张兰(1971— 料科学等方向的研究。 　　3E2mail:blzhang@ ? 1994-2006 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved. 12期　　　　　　　　　　　　　　张　兰等:非晶氮化硼薄膜的场致电子发射研究　　　　　　　　　　　　　　1111 致电子发射特性。发现该薄膜具有较低的场发射阈 μm。用脉冲激光沉积技值电场,阈值电场为416VΠ 术制备的这种薄膜,其显著优点是:场发射阈值电场