薄膜封装结构-电子器件与组件结构设计.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * 厚膜导体的附着机理 附着机理 金属粒子由热扩散和粘性流动而连接，形成网状结构 金属与陶瓷基片的结合很弱 熔化的玻璃可以润湿陶瓷基片表面，产生连接 玻璃渗入金属网状结构中，形成机械连接 Al2O3 陶瓷基板 玻璃 烧结金属 厚膜导体表面形态 * 厚膜导体材料(Ag) Ag 由金属银及其氧化物组成 与陶瓷基片的可形成牢固的结合 导电性良好；可焊性良好 在电场和湿气共同作用下发生银离子迁移 容易与电阻浆料发生作用，产生气泡 一般在其中加入其他金属以抑制缺陷 Ag-Pd 加入钯可以较好地抑制银离子的迁移；含量越高、作用越好 良好的钎焊性能和与铝丝、金丝的热压接性 具有良好的印刷性能，适合高速印刷 当Pa的含量超过25%时，电阻率太大 Ag-Pt 同样的抑制效果时，含量可以比Pd小 高速印刷性能较Ag-Pd差 * 厚膜导体材料(Au) Au-Pd 电迁移性和与电阻浆料的反应非常小 良好的导电性 软钎焊性、金丝热压焊性、与硅片的共晶钎焊性良好 价格贵 Au-Pt 良好的耐软钎焊性；Pt原子体积大，扩散速度低 价格昂贵 Au 化学稳定性、导电性良好 图形分辨率高，适合于细线工艺 耐软钎焊性差；与锡产生脆性金属间化合物 与电阻端头有不良反应 价格高 * 厚膜导体材料(Cu) Cu导体的特点 价格低；导热性、导电性良好 与基片的附着能力强 直流电阻极低、射频损耗小；良好的抗辐射性 无金属离子迁移问题 软钎焊性和耐软钎焊性良好 工艺性能差，必须在氮气保护下烧结，增加了工艺成本 * 铜直接键合基板 Cu-Al2O3-Cu O2 * 聚合物厚膜导体 特点 含有聚合物树脂 加工温度低(120-165℃) 可用于塑料基片上 组成 聚合物 丙烯酸、聚脂、乙烯系聚合物；环氧、聚酰亚胺、酚醛 功能材料(60-80%) 银、银钯 溶剂 * 厚膜电容介质 陶瓷玻璃复合介质 陶瓷粉末为主要材料，玻璃作为粘合剂 微晶玻璃 聚合物介质 * 薄膜混合电路制造 蒸镀、溅射方法制作薄膜 线路定型-平面设计-掩膜设计与制造 导体(互连线、电容下电极、电感、焊接区)淀积 电阻淀积-电阻测量与调整-电阻热处理 电容介质淀积或阳极化-上电极及互连线淀积测量调整-热处理 保护层淀积-测量-外贴元件焊接-电路测试 封装 * 厚膜混合电路制造 基片、浆料制备-印刷底层导体及电容下电极-烧结 介质浆料制备-印刷电容介质及交叉介质-干燥 印刷上层导体及电容上电极-干燥-介质、导体组合同时烧结 电阻浆料制备-印刷电阻-烧结-阻值调整 印刷保护层-烧结-测量-外贴元件组装 测试-封装 * 作业 1、混合集成电路的特点 2、金、银、铜、铝、镍、钨、钼的基本性质 导电率、导热率、热膨胀系数、熔点、密度 3、 Al2O3陶瓷基板材料的基本性质 介电常数、密度、导热率、热膨胀系数 * 复习题 比较半导体集成电路与膜集成电路的特性 常用薄膜电路基板、厚膜电路基板的材料和特点 常用薄膜导体材料及特点 常用厚膜导体材料及特点 厚膜导体与基板的附着机理 薄膜中间层材料及特点 薄膜电路和厚膜电路在制造工艺上的区别 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 溅射法 蒸镀法 沉积气相的产生过程 1.离子轰击和碰撞动量转移机制 2.较高的溅射原子能量（2?30eV） 3.稍低的沉积速率 4.溅射原子的运动具方向性 5.可保证合金成分，但有的化合物有分解倾向 6.靶材纯度随材料种类而变化 1.原子的热蒸发机制 2.低的原子动能（温度1200K时约为0.1eV） 3.较高的蒸发速率 4.蒸发原子的运动具方向性 5.蒸发时会发生元素的贫化或富集，部分化合物有分解倾向 6.蒸发源纯度可较高 溅射与蒸镀法的原理及特性比较 * 溅射法 蒸镀法 气相过程 工作压力稍高 原子的平均自由程小于靶与衬底间距，原子沉积前要经过多次碰撞 1.高真空环境 2.蒸发原子不经碰撞直接在衬底上沉积 薄膜的沉积过程 1.沉积原子具有较高能量 2.沉积过程会引入部分气体杂质 1.沉积原子能量较低 2.气体杂质含量低 溅射与蒸镀法的原理及特性比较 * 定义 ?? 离子镀是一种在基片上施加偏压, 即在离子对基片和薄膜发生持续轰击的条件下制备薄膜的PVD技术 在离子镀的过程中，沉积前和沉积过程中的基片和薄膜表面经受着相当数量的高能离子流和大量的高能中性物质的轰击 离子镀可以被看成是一种混合型的薄膜制备方法 ?? 它兼有蒸发法和溅射法的优点 离子镀法置备薄膜的物理过程 * 蒸发和溅射法的结合 离子镀的两个基本条件： 要有一个具有偏置电压的气体放电空间 要使被沉积的物质（金属原子、气体分子）在放电空间内