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分立元件电路与集成电路 李亚妮 工商管理1301 201306010113 一、分立元件电路 1.1 二极管 1.1.1定义 二极管是电子元件当中，一种具有两个 电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“ 整流”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。 1.1.2功能 二极管具有 \o 阳极 阳极和 \o 阴极 阴极两个端子，电流只能往单一方向流动。也就是说，电流可以从阳极流向阴极，而不能从阴极流向阳极。对二极管所具备的这种单向特性的应用，通常称之为“ \o 整流 整流”功能。在真空管内，借由电极之间加上的电压能够让热电子从阴极到达阳极，因而有整流的作用。将 \o 交流电 交流电转变为 \o 直流电 直流电，包括无线电接收器对无线电信号的 \o 调制 调制，都是通过整流来完成的。 因为其顺向流通反向阻断的特点，二极管可以想成电子版的逆止阀。然而实际上，二极管并不会表现出如此完美的开关性，而是呈现出较为复杂的非线性电子特征——这是由特定类型的二极管技术决定的。一般来说，只有在正向达到 \o 阈值电压 阈值电压时，二极管才会开始工作（此状态被称为正向偏置） [5]。一个正向偏置的二极管两端的电压降变化只与电流有一点关系，并且是 \o 温度 温度的函数。因此这一特性可用于 \o 温度传感器 温度传感器或 \o 参考电压 参考电压。 半导体二极管的非线性电流-电压特性，可以根据选择不同的半导体材料和 \o 掺杂 (半导体)掺杂不同的杂质从而形成 \o 杂质半导体 杂质半导体来改变。特性改变后的二极管在使用上除了用做开关的方式之外，还有很多其他的功能，如：用来调节电压（ \o 齐纳二极管 齐纳二极管），限制高电压从而保护电路（ \o 雪崩二极管（页面不存在） 雪崩二极管），无线电调谐（ \o 变容二极管 变容二极管），产生射频振荡（ \o 隧道二极管 隧道二极管、 \o 耿氏二极管 耿氏二极管、 \o IMPATT二极管（页面不存在） IMPATT二极管）以及产生光（ \o 发光二极管 发光二极管）。 半导体二极管中，有利用 \o P型半导体 P型和 \o N型半导体 N型两种半导体接合面的 \o PN结 PN结效应，也有利用金属与半导体接合产生的 \o 肖特基二极管 肖特基效应达到整流作用的类型。若是PN结型的二极管，在P型侧就是阳极，N型侧则是阴极。 半导体二极管的电流－电压特性曲线。电压在正的区域称为正向偏置。 1.1.3 特性 ①正向性 外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为 死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。 ②反向性 外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子 漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或 漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。 ③击穿 外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为 电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。 1.1.4 历史 20世纪初，由于无线电接收器探测器的需要，热离子二极管（真空管）和 \o 固态电子器件 固态二极管（半导体二极管）大约在相同的时间分别研发。直到20世纪50年代之前，真空管二极管在收音机中都更为常用。这是因为早期的点接触式半导体二极管（猫须探测器）并不稳定，并且那时大多数的收音机放大器都是由真空管制成，二极管可以直接放入其中。而且那时真空管整流器和充气