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第*’卷增刊*++.年’月 半!导!体!学!报 #8Q!%!M_e]Q$?_^%!=#_QNe#[_]% aD2*’!%D9196CGG $M69*++. 偏晶向$面衬底上)444!6JW5W6J 的9$.外延生长 王!雷!孙国胜!高!欣!赵万顺!张永兴!曾一平!李晋闽 中国科学院半导体研究所$北京!,#%+++-0 摘要’化学气相沉积#是微电子器件用%为了获得高质量的(#aN%;#外延材料的主要生长技术28J%;#外延材料$0%在偏向/方向-的(面衬底上$利用台阶控制生长技术进行(表面形,,*+i8J%;##+++,%;J8J%;#的同质外延生长2貌是%为此研究了表面形貌与工艺参数的关系$探讨了(;#外延材料质量好坏的一个重要参数$8J%;#外延膜的表面缺陷形成原因2利用]5156散射技术研究了非均匀(8J%;#外延材料的多晶型现象2关键词’%;#(化学气相沉积(外延生长$%)-,’+#(’-..(+)0+ $中图分类号’[Q0+(b*j0!!!文献标识码’$!!!文章编号’+*.0J(,))*++.%+J+,,0J+( !!引言 在高温’大功率方面的%;#作为宽带隙半导体$ 巨大应用前景$日益受到人们的关注2%;#是一种典型的一维多晶型体#半导体$由%%D9H;原子层CLGGL和#原子层组成的双原子层按照不同的序列堆垛而成$最常见的几种%;#多晶型体是立方密排的六方密排的’它们的禁带0#J%;#’8J%;#和(8J%;#$宽度分别为*b0W$0b+0和0b*’9a2%;#器件的制造主要采用’其中8J%;#和(8J%;#同质外延材料$较小的各向异性$更(8J%;#具有最高的体迁移率’适合于功率%偏晶向衬底上%;#器件的制作2;#的 *+外延生长是由=并建5CH651;等人,首先提出的$立了,台阶控制外延生长-模型$这一生长技术是 !实验 偏晶向衬底上(8J%;#的同质外延生长是在自制的高温%衬底材料是;#?#aN系统上进行的$美国#方向-F99研究公司生产的偏向/,,*+0i的 j %面6型衬底$衬底的载流子浓度(8J%;##+++,%;J0,-.$为.m,面积为,#+E1+11m,+11$+++,%%;J 面单面抛光2衬底的处理程序是)依次在三氯乙烯’丙酮’无水乙醇中沸煮,用去离子水清洗$+,.1;6并煮沸,在8*%+1;62__0‘,的溶液中(‘800g在装入加热,+1;6$*+1;6后放入去离子水中清洗$反应室之前$用./的8^溶液除去表面的氧化层2反应气体为%最佳流量分别为#;8($*8(和8*$ 型掺杂采用Q80气体$+b.$+b.,和0+++HEE126J流量为+生长温度控制在,b+,+b,’HEE1$.++h$ 00 $在生长过程中压力维持在*b)m,+b0m,+5. 其主要特点是外延层继承%;#最常用的外延方法$ 了衬底的晶型2因此$外延层与衬底具有完全相同的晶体结构$这有利于外延层材料的晶型控制2 我们已报道了’8J%;#和(8J%;#衬底上%;# +*$0的同质外延生长*本文主要报道有关?#aN方2 生长时间为,,用Q原子.4215FHT;光学显微镜’力显微镜#’’A射线衍射#$^=%A]N%]5156散射’低温光致发光#’?[?%%=%等方法研究了结构特性’光学特性(8J%;#外延材料的表面形貌’ 以及故意掺杂控制等2 法在偏晶向(8J%;#衬底上进行同质外延生长的表面形貌控制技术2 *++(J,+J,’收到$*++(J,,J*(定稿++.中国电子学会’* 半!导!体!学!报第*’卷 的增加而线性增大$说明%;原子或原子团是支配生 (!结果与讨论 (2!!偏晶向外延生长 对于(表面形成了*8J%;#偏晶向衬底$+++,+方向的平台和*方向的台阶$如图,所示2根据+,,*+偏晶向衬底上%台阶控制生长-模型$如果原;#的,子在表面上的迁移长度大于平台长度$或者生长表长速率的关键因素2%;的出现表明生长气氛中出现了过剩的%如;2%;滴并不是出现在整个外延片上$一般出现在气流的下游边缘附近2这个结果果出现$ 可以作如下解释$当反应气体到达衬底的上游边缘.时$气相中的#由于%;原子比率是已设计的数值$所以两者在高温下的;8($#*8(的裂解温度低于% 裂解比例随着反应气体在样品表面上的流动距离而发生变化$如果事先设计的反应气体中#.%;原子比面的台阶密度足够高$在平台上很少发生二维成核$晶体生长大多发生在台阶拐点处#如图,中黑圆点所示%$箭头所指方向为(8J%;#台阶流动方向2此时(8J%;#外延层继承了衬底的原子堆垛序列$因此与衬底具有完全相同的结构特征 ,,*+0方向的(8J%;##+++,%%;面衬底上台阶结构 与,台阶控制生长- ^;72,!%E4915C;EI;57F51@HC9GE6@;7F5