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一、填空题 1．突变PN结低掺杂侧的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越 小 ，内建电场的最大值越 大 ，内建电势Vbi就越 大 ，反向饱和电流I0就越 小 ，势垒电容CT就越 大 ，雪崩击穿电压就越 小 。P27 2．在PN结的空间电荷区中，P区一侧带 负 电荷，N区一侧带 正 电荷。内建电场的方向是从 N 区指向 P 区。 3．当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为 。由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越 大 。 4．若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为，则室温下该区的平衡多子浓度pp0与平衡少子浓度np0分别为 和 。 5．某硅突变PN结的，，则室温下和 的分别为 、 、 和 ， 当外加0.5V正向电压时的和分别为 、 ，内建电势为 。 6．当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度 大 ；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度 小 。 7．PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是 多子 ；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是 少子 。 8．PN结的正向电流由 空穴扩散电流 电流、 电子扩散电流 电流和 势垒区复和电流 电流三部分所组成。 9．PN结的直流电流电压方程的分布为 。 10．薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于 该区的少子扩散长度 。在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为 线性 ；薄基区二极管相对厚基区二极管来说，其它参数都相同，则PN结电流会 大的多 。 11．小注入条件是指注入某区边界附近的 非平衡少子 浓度远小于该区的 平衡多子 浓度。 12．大注入条件是指注入某区边界附近的 非平衡少子 浓度远大于该区的 平衡多子 浓度。 13．势垒电容反映的是PN结的 微分 电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越 大 ；外加反向电压越高，则势垒电容就越 小 。 14．扩散电容的物理含义为中性区中 非平衡载流子 随外加电压的变化率；外加正向电压越高，则势垒电容就越 大 。 15．雪崩击穿和齐纳击穿的条件分别是 和 。 16．在PN结开关管中，在外加电压从正向变为反向后的一段时间内，会出现一个较大的反向电流。引起这个电流的原因是存储在 N 区中的 非平衡载流子 电荷。这个电荷的消失途径有两条，即 和 。 17．晶体管的饱和状态是指发射结 正偏 ，集电结 正偏 。 18．晶体管的共基极直流短路电流放大系数是指发射结正偏、 集电 结零偏时的集电极电流与 发射 极电流之比。 19．晶体管的共发射极直流短路电流放大系数是指发射结正偏、 集电 结零偏时的集电极电流与 基 极电流之比。 20．晶体管的注入效率是指 从发射区注入基区的少子电流IpE 电流与 总的发射极电流IE 电流之比。为了提高注入效率，应当使 发射 区掺杂浓度远大于 基 区掺杂浓度。 21．晶体管的基区输运系数是指 基区中到达集电极结的少子电流IpC 电流与 从发射结刚注入基区的少子电流IpE 电流之比。为了提高基区输运系数，应当使 基区宽度WB 远小于其扩散长度。 22．晶体管中的少子在渡越 基区 的过程中会发生 复合 ，从而使到达集电结的少子比从发射结注入基区的少子 小 。 23．ICS是指 基极和发射极 结短路、 集电 结反偏时的集电极电流。 24．IES是指 基极和集电极 结短路、 发射 结反偏时的发射极电流。 25．发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高 注入效率 ，反而会使其 下降 。造成发射区重掺杂效应的原因是 发射区禁带变窄 和 俄歇复合增强 。P99 26．若用和分别代