高品质MOS解析晶圆.PDFVIP

高品质MOS解析— 晶圆 • 低压(300V以下)系列— 台 积电流片,台系封装厂封装 • 高压(300V以上)系列— 国 内流片,CP全测,选取良率 95% 以上的晶圆 • 使用DISCO全自动划片机, 封闭式操作,划片质量高 • 晶粒检查—显微镜和探针 做外观和电性能检查 高品质MOS解析—装片 • 对每个批次银浆物料做纯 度检查 • 选用表面光洁,散热面积大 的纯铜框架—TO-220F 的 框架厚度达1.3MM • 装片检查—显微镜查看芯 片黏贴外观,推力测 试,X-ray扫描 高品质MOS解析—装片框架对比 高品质MOS解析—键合 • 使用OE和ASM双头自动 键合机 • 键合检查—显微镜查键合 精准度,拉力测试 高品质MOS解析—塑封后固化 • 塑封料指定使用进口三星 环氧树脂 • 塑封后固化处理时间8-10 小时 • 塑封检查— 目测外观检查, 超声波扫描 高品质MOS解析—成品 • 性能测试,打标丝印管脚检 查,编带一体机完成成品测 试和包装 • 静态电性能参数测试如 VTH, IGSS, IDSS, BVDSS, VFSD, ESD和 RDS(on) 等测试 • JEDEC标准可靠性测试 高品质MOS解析—FT机台测试数据 高品质MOS解析—成品参数对比 高品质MOS解析—可靠性试验高温反偏/栅偏 O • HTRB:Ta=Tj=150 C VR=50%~80%BVDSS IDSS≤2倍规格书规范 O • HTGB:Ta=Tj=150 C VR=VGS IGSS≤2 倍规格书规范 • 选取77PCS,168小时 • 参照标准:JESD22-A108A 高品质MOS解析—可靠性试验热冲击 • -40度低温5分钟 • 150度高温5分钟 • 22PCS,500个完整循环 • 参照标准:JESD22-A106A 高品质MOS解析—可靠性试验高温蒸煮 • 22PCS样本 O • 121 C,2ATM,96H O • 150 C烘干2小时 • 室温放置2小时后测试 • 参照标准:JESD22-A102B 高品质M