微细加工中的光刻原理.pptVIP

第一节 光刻工艺过程;光刻工艺过程示意图 ;涂 胶;前 烘;曝 光;显 影;坚 膜;刻 蚀;去 胶;第二节 光学光刻工艺;图3-2;一、接触曝光;图3-3;在衍射限制范围内，接触曝光几乎有100％的精度把掩模图形传递到光刻胶上，并有可能获得最高清晰度的图像。这是其他光学光刻技术所不及的。 但是，在实际制造工艺中不可能实现理想接触状态，所以实际分辨率要比理论值低。其重要原因是：基片和掩模都不是理想平面；在基片和掩模之间可能存在异物；光刻胶层隆起，使对准困难。为了获得良好的接触状态，可在基片和掩模间增大接触压力，但这样做容易损伤胶膜，产生不应有的缺陷。而这些缺陷在曝光时会重现，最终导致成品率的降低。此外，压力的增大还会使基片和掩模发生形变，导致套刻精度的下降。在影像套准时，掩模需要对基片作相对移动，这也会产生微粒或碎屑，从而使缺陷问题更加复杂化。 ;二、接近曝光;三、投影曝光;投影曝光的形式见图3—4。常用方法之一是1：1环形场扫描见图3—4(a)。例如PBM公司生产的“Perkh—E1mer MicraIign”扫描曝光装置，用反射球面镜把掩模图形投影到感光胶上。标准水银灯发出的光通过聚光器和宽为几毫米的狭缝，由主镜和次镜把狭缝和入射光在整个掩模上成像。;反射UV(紫外线)曝光系统。;分步重复投影曝光技术;分步重复光刻机需要对基片作对准曝光，因而需要增加一个自动对准系统。在基片表面有金属膜和介质膜以及台阶的情况下，均应保证极高的对准精度(±0．1—0．25μm )； 这种光刻机使用10：1和5：1缩小分度的折射光学系统，其分辨率和图像套准能力都更好。可广泛用于制造特征尺寸小于1．5um的半导体器件。这种分步法需要精密的机加工步骤在整个基片上分步成像，因而产量低。尽管如此，分步重复投影曝光在光刻法中仍是发展最快的工艺之一。 ;四、光学曝光的物理限制;第三节 电子束光刻工艺;一、电子在固体中的散射;前散射与背散射;实验表明，从光刻胶的图形轮廓看，前散射使电子束变 宽约0.1um，而光刻胶中和基底中的背散射却使电子束变宽约1．0～2．0um。图3—22为涂布在金属铝衬底上的0．4um??PMMA胶层在显影后的理论和实验得到的剖面轮廓，它表示三种不同能量束一次扫描的结果。图中qL表示入射剂量，它是单位长度的电荷量，单位为10-8C／cm。由图可以看出，所有的轮廓都有底切现象(如同钻蚀一样)，qL 越大，底切越明显。实验证明了这样一个重要结论：显影后的图形形状和线宽，是入射剂量qL 和入射束能量的非线性函数。显然，这是由散射效应引起的。另外，由图可以得出这样的结论：在光刻胶厚度、电子入射剂量和基片材料相同的条件下，采用较高的电子束能量可以提高分辨率。因为在较高的束能下，电子散射效应减少。 ;二、电子束光刻系统及其限制;固定成形束及可变成形束系统 ;电子束曝光系统原理图 ;1．电子光柱体;2．工作台系统;工作台的移动方式有步进式和连续式两种。步进操作是 当工作台停止移动时，图形区域曝光，然后工作台移动到一个新的位置，对靠近上次曝光区域的一个新的图形区域曝 光。工作台连续移动，图形就被记录在基片上。工件在工件台上的位置不可能每次每片都完全一样，更何况基片在热处理之后会有翘曲变形。因此，在曝光室内设有探测装置，用以探测片夹上或基片上的套准标志，以检测实际的曝光位置，从而校正预期的位置数据。 ;3．图形发生器与控制电路;4．计算机控制系统;电子束曝光技术的限制;三、图形的曝光方式;1．矢量扫描法;在矢量扫描技术中，跳步是个主要问题。矢量的两个终端坐标就是束斑跳动的位置。为了保证完成这种跳动，两端之间至少必须有5个曝光地址距离，而电子束的偏转系统应在5个曝光地址内完成矢量跳动。地址是指束斑的步距。为方便起见，可把偏转扫描场看成棋盘，一个扫描场一般用4000—40000条线划成栅格，每个栅格就是一个地址(束斑步距)。栅格尺寸也称为地址结构。由于偏转系统的带宽不够，以及偏转磁场的变化而在附近的金属材料中产生涡流，这都会使矢量跳动，导致改变电子束扫描方向时产生滞后。 ;2．光栅扫描法;光栅扫描特点;3．投影式电子束曝光;电子束平行投影曝光;特点;透射成像式电子束曝光;第四节 x射线光刻工艺;x射线光刻的基本要点;1．X射线曝光的优点;2．X射线源;三、X射线曝光用掩模;图3—34为贝尔实验室研制的掩模结构，它已成功地用于1um特征尺寸的集成电路器件中。制造掩模时，先在硅基片上沉积6um厚的氮化硼膜，然后在氮化硼顶上加一层6um厚的聚酰亚胺以增加其附加强度。当聚酰亚胺固化后，将一层薄的钽沉积在衬底膜上，接着沉积0．6um的金，而后再覆盖一层钽。电子光刻胶涂