由单一原子层影像探讨氯化碘分子於矽晶面之吸附过程.pdf

國立交通大學 物理研究所 碩士論文 由單一原子層影像探討 氯化碘分子於矽晶面之吸附過程 Imaging the ICl-saturated Silicon Surfaces 1234567890123研 究 生：侯曉 穎 1234567890123指導教 授 ：江進福 教授 指導教 授 ：林登 松 教授 中華民國九十 八年六月 由單一原子層影像 探討氯化碘分子於矽晶面之吸附過程 Imaging the ICl-saturated Silicon Surfaces 研 究 生 : 侯曉穎 Student : Hsiao-Ying Hou 指導教授 : 江進福 Adviser : Dr. Tsin-Fu Jian 指導教授 : 林登松 Adviser: Dr. Deng-Sung Lin 國 立 交通 大 學 物理研 究所 碩 士論 文 A Thesis Submitted to Institute of Physics College of Science National Chiao Tung University in partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Master in Physics July 2008 Hsinchu, Taiwan 中國民國九十八年六月 由單一原子層影像探討氯化碘分子於矽晶面之吸附過程 學生：侯曉穎 指導教授：林登松 教授 江進福 教授 國立交通大學物理研究所碩 士班 摘 要 由於半導體工業的需求 ，矽單晶是易獲得的高品質共價鍵晶體樣品，而氯化 碘分子為一典型的相異原子所構成之雙原子鹵素 分子。我們利用具原子級影像解 析的掃描穿隧顯微鏡為工具，在曝露過氯化碘氣體分子的矽表面上直接攝取原子 影像，觀察與分析氯與碘這兩種不同的吸附原子在矽晶表面上形成有序的排列， 以瞭解雙原子分子在共價鍵晶面上的詳細化學吸附過程。 我們發現飽和吸附氯或碘原子的矽(100)表面上，主要的吸附反應為裂解式吸 附。但氯化碘氣體分子通量不同時，其在矽 (100)表面吸附後的STM影像也不盡相 同。高通量氯化碘氣體分子有效撞擊且吸附於矽表面後，氯原子和碘原子在矽 (100) 表面的雙原子單體列上呈現交錯排列，形成c(2 × 2)結構，理論計算結果顯示這種 排列的系統