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第八章 基本光刻工艺流程 光刻的目的和意义第四章已做过简单的描述，这一章主要介绍基本光刻工艺中的表面准备至曝光的工艺步骤及光刻胶的特性。 8.1 简介 光刻工艺首先是 在晶园表面建立尽可 能接近设计规则中所 要求尺寸的图形，其 次是在晶园表面正确 定位图形。 因为最终的图形是用多个掩膜版按照特定的顺序在晶园表面一层一层叠加建立起来的。图形定位的要求就好像是一幢建筑物每一 层之间所要求的正确对准。如 果每一次的定位不准，将会导 致整个电路失效。除了对特征 图形尺寸和图形对准的控制， 在工艺过程中的缺陷水平的控 制也同样是非常重要的。光刻 操作步骤的数目之多和光刻工 艺层的数量之大，所以光刻工 艺是一个主要的缺陷来源。 8.2 光刻蚀工艺概况 光刻蚀是一种多步骤的图形转移过程，首先是在掩膜版上形成所需要的图形，之后通过光刻工艺把所需要的图形转移到晶园表面的每一层。 图形转移通过两步完成。首先，图形被转移到光刻胶层。光刻胶经过曝光后自身性质和结构发生变化（由原来的可溶性物质变为非可溶性物质，或者相反）。再通过化学溶剂（显影剂）把可以溶解的部分去掉，在光刻层下就会留下一个孔，而这个孔就是和掩膜版不透光的部分相对应。 其次，把图形从光刻胶层转移到晶园上。这一步是通过不同