CMOS工艺流程与MOS电路版图举例4-精品文档31页.ppt

该图的说明 a 沟道长度 3λ b GS/GD覆盖λ c p+，n+最小宽度3λ d p+，n+最小间距3λ e p阱与n+区间距2λ f 孔距扩散区最小间距 2λ g Al覆盖孔λ 孔 2λ× 3λ或 3λ× 3λ h Al栅跨越p+环λ i Al最小宽度4λ j Al最小间距3λ;2) 铝栅、硅栅MOS器件的版图;Source/Drain: Photomask (dark field);Gate: Photomask (dark field);Contacts: Photomask (dark field);Metal Interconnects: Photomask (light field);硅栅硅栅MOS器件工艺的流程Process (1)刻有源区;Process (2)刻多晶硅与自对准掺杂;Process (3)刻接触孔、反刻铝; ;;;; 4) 硅栅MOS版图举例 E/E NMOS反相器 ;E/D NMOS 反相器 ; 制备耗尽型MOS管; 硅栅CMOS与非门版图举例 ;;硅栅P阱CMOS反相器版图设计举例;1. 刻P阱;4. 刻PMOS管S、D;VDD;光刻1与光刻2套刻;光刻3与光刻4套刻;光刻5与光刻6套刻;;5) P阱硅栅单层铝布线CMOS的工艺过程;CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例;2、阱区注入及推进，形成阱区;3、去除SiO2，长薄氧，长Si3N4