MLD结构快恢复二极管trr-T特性的理论分析.docVIP

第 26卷 　 第 1期 2005年 1月 　　 半 　 导 　 体 　 学 　 报 CHI NESE JOURNA L OF SE MIC ONDUCT ORS V ol. 26　 N o. 1 　　 Jan. ,2005 3国家自然科学基金资助项目 (批准号 　 潘飞蹊 　 男 ,1970年出生 , 博士研究生 , 主要从事半导体器件及电路设计研究 . 　 陈星弼 　 男 ,1931年出生 , 中国科学院院士 , 研究方向为器件物理 , 功率器件和 IC 设计 . 　 2003211228收到 ,2004203226定稿 2005中国电子学会 MLD 结构快恢复二极管 t rr 2T 特性的理论分析 3 潘飞蹊 　 陈星弼 (电子科技大学微电子与固体电子学学院 , 成都 　 610054 摘要 :对少数载流子寿命横向非均匀分布 (minority 2carrier life time lateral non 2uniform distribution ,M LD 结构的快恢复 二极管进行了理论研究 . 首先利用 M LD 二极管 n 型基区内部少数载流子在横向上的分布形态 , 给出了 M LD 结构提 高快恢复二极管的反恢时间 2温度 (t rr 2T 稳定性的一个定性解释 , 然后利用 “平均寿命” 对 M LD 二极管的 t rr 2T 特性 进行了讨论 . 模拟结果证明了理论分析的正确性 . 关键词 :反恢时间 ; 温度稳定性 ; 平均寿命 PACC :2320C ; 7115; 7220J 中图分类号 :T N303　　　 文献标识码 :A 　　　 文章编号 :025324177(2005 0120126207 1　 引言 快恢复二极管作为一类重要的开关器件在各种 电子设备中使用广泛 . 作为双极器件 , 它存在着速度 与功耗之间的矛盾 , 所有指标之间必须折中考虑进 行优化 . 为了减小快恢复二极管反恢时间 t rr , 通常 用掺金 、 掺铂和电子辐照的方法来缩短少子寿命 , 但 这会相应地增大二极管的正向压降 V F 和反向漏电 流 I R . 在文献 [1]中 ,T em ple 等提出了一种优化的纵 向少子寿命分布结构 , 通过在器件基区中引入一层 或多层平行于 pn 结面的薄的高复合区 , 来改善高速 器件各项特性之间的兼容性 . 近年来 , 这种局部寿命 控制的方法得到了广泛的关注 [2~5]. 基于局部寿命控制的思想 , 在我们以前的研究 工作中 , 提出了一种新的快恢复二极管结构 [6]:少数 载流子寿命横向非均匀分布结构 (minority 2carrier life time lateral non 2uniform distribution ,M LD . 其基本思想 如图 1所示 , 在二极管 n 型基区中引入横向非均匀 分布的深能级杂质 , 使得二极管 n 型基区形成一种 由 “ 短寿命区” (-a 1~0 和 “ 长寿命区” (0~a 2 相间 隔组成的结构 . 和以前的方法不同 , 新结构中的局部 寿命控制区垂直于 pn 结面 . 对于这种新结构的快恢 复二极管的特性 , 我们报道过相关研究结果 , 其中最 为显著的是 , 和普通均匀掺入深能级杂质的快恢复 二极管相比 , 新的快恢复二极管表现出非常良好的 反恢时间 2温度 (t rr 2T 稳定特性 . 另一方面 , 这种新 的快恢复二极管正向压降 2反恢时间 (V F 2t rr 兼容特 性略差 , 并且反向漏电流大约大一个量级 [6]. 本文在以前工作的基础上对 M LD 二极管的 t rr 2T 稳定特性进行了理论研究 . 首先利用少子分布形 态在不同温度下的变化 , 给出了 M LD 二极管 t rr 2T 稳定特性的一个定性解释 . 进一步 , 利用 “ 平均寿命” 的概念对 M LD 二极管的 t rr 2T 特性进行了讨论 , 并 提出了 M LD 二极管基区中长 、 短寿命区宽度取值的 优化原则 . 2　 理论分析及讨论 在我们以前报道的实验结果中 [6], 用反向恢复 时间随温度的变化比例 η=t rr (100℃ /t rr (27℃ 来 表征快恢复二极管的 t rr 2T 稳定特性 , 其中均匀掺 Pt 管的 η值为 3左右 , 均匀掺 Au 管的 η值为 2左右 , 而掺 Pt 的 M LD 样管的 η值仅为 114左右 , 掺 Au 的 M LD 样管的 η值仅为 112左右 . 为了解释 M LD 结构 的这种效应 , 按以下的思路进行考虑 :普通快恢复二 极管的反恢时间取决于其基区内部小注入时的少子 寿命 [7,8]. 对于 M LD 二极管 , 基区由 “短寿命区” 和 “ 长