介质的损耗与击穿杨正文复习课程.pptVIP

电子位移极化 —— Electronic Polarization;离子位移极化 —— Ionic Polarization;偶极转向极化 —— Orientational (Dipolar) Polarization;空间电荷极化 1.空间电荷极化：在电场作用下，不均匀介质内部的正、负离子分别向负、正极移动，引起介质内各点离子的密度发生变化，即出现电偶极矩。这种极化即称为空间电荷极化。在电极附近积聚的电荷就是空间电荷。 空间电荷极化常发生在不均匀介质中。; 介质损耗定义 电介质在单位时间内消耗的能量称为电介质损耗功率，简称电介质损耗。 或：电场作用下的能量损耗，由电能转变为其它形式的能，如热能、光能等，统称为介质损耗。 它是导致电介质发生热击穿的根源。 ;损耗的形式;介质损耗的表示;介质损耗的表示;介质损耗的表示;介质弛豫和德拜方程 1）介质弛豫：在外电场施加或移去后，系统逐渐达到平衡状态的过程叫介质弛豫。 介质在交变电场中通常发生弛豫现象，极化的弛豫。在介质上加一电场，由于极化过程不是瞬时的，极化包括两项： P(t) = P0 + P1(t);2）德拜(Debye)方程 频率对在电介质中不同的驰豫现象有关键性的影响。 设低频或静态时的相对介电常数为ε(0)，称为静态相对介电常数；当频率ω→∞时，相对介电常数εr’ →ε∞ （ ε∞代表光频相对介电常数）。则复介电常数为： ;影响介质损耗的因素;影响介质损耗的因素;影响介质损耗的因素;2、温度的影响;2、温度的影响;2、温度的影响;介质吸潮后，介电常数会增加，但比电导的增加要慢，由于电导损耗增大以及松驰极化损耗增加，而使tgδ增大。 对于极性电介质或多孔材料来说，这种影响特别突出，如，纸内水分含量从4％增加到10％时，其tgδ可增加100倍。;无机介质的损耗; （1）电离损耗 a)定义：含有气孔的固体介质在外电场强度超过了气孔内气体电离所需要的电场强度时，由于气体电离而吸收能量，造成的损耗。 所以电离损耗主要发生在含有气相的材料中。这种损耗可能导致介质的热破坏和化学破坏。 b)计算式：电离损耗功率可以用下式近似计算： PW=Aω(U-U0)2 式中A为常数，ω为频率，U为外施电压。 U0为气体的电离???压。 在U ＞ U0时才适用，此时，当U ＞ U0 ，tgδ剧烈增大。;a)定义：在高频、低温下，与介质内部结构的紧密程度密切相关的介质损耗称为结构损耗。 b)特征 ①结构损耗与温度的关系很小，损耗功率随频率升高而增大，但tgδ则和频率无关。 ②结构紧密的晶体或玻璃体的结构损耗都是很小的。但是当某些原因（如杂质的掺入，试样经淬火急冷的热处理等）使它的内部结构变松散了，会使结构损耗大为提高。 因此一般材料：在高温、低频下，主要为电导损耗； 在常温、高频下，主要为松弛极化损耗； 在高频、低温下，主要为结构损耗。; 离子晶体可以分为结构紧密的晶体和结构不紧密的离子晶体。 （1）结构紧密的晶体：如α-Al2O3、镁橄榄石晶体， 晶体的离子都堆积得十分紧密，排列很有规则，离子键强度比较大。 ①极化 结构紧密的离子晶体在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的弹性位移极化。 ②损耗 无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起。 在常温下热缺陷很少，因而损耗也很小。;③介质损耗功率与频率的关系 结构紧密的晶体的介质损耗功率与频率无关。tgδ随频率的升高而降低。 因此以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频的场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等，它们的tgδ随温度的变化呈现出电导损耗的特征。 （2）结构不紧密的离子晶体： 较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷或较多的杂质，离子的活动范围扩大。 在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动,产生电导损耗。 弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。 损耗较大，由这类晶体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频。;（3）固溶体 固溶体或多或少都有各种点阵畸变和结构缺陷，通常有较大的损耗，并且有可能在某一比例时达到很大的数值，远远超过两种原始组分的损耗。 例如ZrO2和MgO的原始性能都很好，但将两者混合烧结，MgO溶进ZrO2中生成氧离子不足的缺位固溶体后，使损耗大大增加，当MgO含量约为25mol％时，损耗有