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扩散工艺进阶 工艺升级 扩散工艺进阶 热氧化工艺； 氧化层质量检验； 掺杂工艺； 掺杂剂量检验； 扩散工艺； 合金工艺 氧气流以恒定源的形式经过芯片表面，其中一部分的O原子吸附在了芯片的表面。 吸附在芯片表面的-O-原子破坏 了SI-SI键，与芯片表面的SI原子进行化学反应，形成SIO2分子，即形成O-SI-O键。即时形成薄SIO2层。 O原子扩散过SIO2层，到达SI-SIO2界面，继续与SI原子反应。这个过程是持续的。 随着氧化层的增厚，O原子扩散过SIO2层来到SIO2-SI界面的速度越来越慢，导致热氧化反应的速率随之变慢。 掺CL-氧化：为优化SIO2质量，提高产品的可靠性，在热氧化的基础上又引申出掺CL-氧化工艺。掺CL-氧化工艺的CL-源一般由DCE提供。利用CL-离子可轻易俘获NA、K离子的特性，DCE所提供的CL-离子可有效的控制在热氧化过程中可能出现的可移动金属离子沾污，主要指NA、K离子。需要注意的是在掺CL-氧化工艺中CL-要控制在1-3%（CL-与氧原子的比率）。 MOS C-V电容测试：MOS C-V电容测试方法是监控氧化层质量的一个重要的方法。这种方法主要是针对氧化层中所含有的可移动金属移动离子而言，尤其是NA+、K+离子。 氧化层耐压测试：耐压测试是监控氧化层缺陷的一个重要方法，一般氧化层耐压标准为10V/100A SN2携带POCL3与O2同时进入掺杂炉管，完成4POCL3+3O2=2P2O5+6CL的过程，反应生成的P2O5淀积在芯片的表面（poly层）： 淀积在SIO2上的P2O5分子与poly-SI原子反应，生成SIO2的同时析出P原子： Poly掺杂的均匀性控制：因poly的短程有序的结构与单晶SI长程有序的结构差异，导致了poly掺杂时掺杂浓度的分布不均匀。可以降低掺杂速率来改善这种不均匀的现象，也可以在poly上先生长一层薄氧化层来控制掺杂速率。 掺杂剂量检验：检验方法主要用到的就是四探针法，根据薄层电阻/方块电阻的值来体现掺杂剂量。一般的方块电阻大小为20+/-2欧姆或15+/-1.5欧姆。 方块电阻波动：如果标准工艺下方块电阻出现波动主要有几个原因。一，扩散炉温度有变化；二，气体流量有变化；三，源温有变化。 扩散工艺：扩散过程主要是杂质的再分布过程。包括杂质的再分布，激活，晶格的修复。 离子注入的方式进行掺杂： 杂质的在分布： 合金工艺：在较低的温度(400℃-450℃)下对芯片进行45分钟左右的退火和烧结，这步工艺通常是在混合气氛（N2中含有10%的H2）中进行的，其目的是形成良好的金属-半导体之间的欧姆接触，同时降低SI-SIO2界面的电荷。 MOS C-V技术是氧化层质量检验的一个极其重要的方法，利用量测MOS电晶体在不同条件下的电容－电压关系曲线，来评估MOS氧化层品质的一种技术。一般要求CV Shift0.1V。 不断加电压在 30℃时量取一条C—V曲线（1），然升温至250℃再降到30℃时再量取一条C—V曲线（2），发现两条C—V曲线并不会完全重合，只有当C-V shift小于0.1V方符合标准。 * * 集顺半导体 郝建勇 2010.05.17 大纲 热氧化机理 热氧化机理 热氧化机理 热氧化机理 热氧化机理 氧化层质量检验 SIO2 掺杂机理 SI POLY P P P P P O O O O O O O O O O O O O O P2O5 P2O5 掺杂机理 SIO2 SI POLY P2O5 P2O5 si si si si si si si si p p SIO2 掺杂机理 高度差x 高度差x/2 掺杂剂量检验 扩散工艺 SI SIO2 SIO2 离子注入前 扩散工艺 SIO2 SIO2 SI 离子束 掺杂区 扩散工艺 SIO2 SIO2 SI 掺杂区 N2+O2 SIO2 扩散区 扩散工艺 扩散工艺 合金工艺 MOS C-V技术 Measure C-Vat 30oC 21oC/min 10min Wafer cooling Measure C-Vat 30oC 30℃ C—V shift：测试原理图 曲线1 曲线2 shift