光电技术基础 第三章 光电效应.pptVIP

第三章 光电效应　 第三章 光电效应 一、定义 二、分类 一、定义 ——物质在光的作用下，不经升温而直接引起物质中电子运动状态发生变化的物理现象。 在理解上述定义时，必须掌握以下三个要点： 原因：是辐射，而不是升温； 现象：电子运动状态发生变化； 结果：光电导效应、光生伏特效应、光电子发射。 简单记为：辐射→电子运动状态发生变化→光电导效应、光生伏特效应、光电子发射。 光对电子的直接作用是物质产生光电效应的起因。 在光的作用下，当光敏物质中的电子直接吸收光子的能量足以克服原子核的束缚时，电子就会从基态被激发到高能态，脱离原子核的束缚，在外电场作用下参与导电，因而产生光电效应。 这里需要说明的是，如果光子不是直接与电子起作用，而是能量被固体晶格振动吸收，引起固体温度的升高，导致固体电学性质的改变，这种情况就不是光电效应，而是热电效应。 二、光电效应分类 　　　　 外光电效应　 光电子发射 光电效应　　　　　　　光电导效应 　　　　 内光电效应　 光生伏特效应 　　　　　　　　　　　丹倍效应 　　　　　　　　　　　光磁电效应 外光电效应 外光电效应是指物质受光照后而激发的电子逸出物质的表面，在外电场作用下形成真空中的光电子流。这种效应多发生于金属和金属氧化物。 内光电效应 内光电效应是指受光照而激发的电子在物质内部参与导电，电子并不逸出光敏物质表面。这种效应多发生于半导体内。内光电效应又可分为光电导效应、光生伏特效应、丹倍效应和光磁电效应等。 二者的区别 外光电效应和内光电效应的主要区别在于：受光照而激发的电子，前者逸出物质表面形成光电子流，而后者则在物质内部参与导电。 内光电效应 光电导效应 光生伏特效应 丹倍效应 光磁电效应 光电导效应 半导体材料受光照后，其内部产生光生载流子，使半导体中载流子数显著增加而电阻减小，也就是电导率增大的现象称为光电导效应。 1、本征半导体的光电导效应 2、杂质半导体的光电导效应 1、本征半导体的光电导效应 光照时，处在价带中的电子吸收入射光子的能量，成为自由电子，同时，在原来的价带中留下空穴。 外电场作用时，光激发的电子空穴对将同时参加导电。 光照激发电子由价带跃过禁带进入导带的条件是 　　　　　　　　　　　　　　　　　　 能够激发电子的光辐射长波限为 　　 　　　　　 　　　　　　　　　　 2、杂质半导体的光电导效应 N型光电导体，主要是光子激发施主能级中的电子跃迁到导带中去，电子为主要载流子。 P型光电导体，主要是光子激发价带中的电子跃迁到受主能级，与受主能级中的空穴复合，而在价带中留有空穴，作为主要载流子参加导电。 只要光子能量满足 就能激发出光生载流子。 式中：Ei称为电离能。对N型光电导体，其值为导带能级Ec与施主能级ED的能量差；对P型光电导体，其值为受主能级EA与价带能级Ev的能量差。 相应的杂质光电导体的长波限为 　　　　　　　　　　　　　　　　 光生伏特效应 光生伏特效应是光照使不均匀半导体或均匀半导体中光生电子和空穴，并在空间分开而产生电位差的现象。 ⒈ PN结的光生伏特效应 ①光生伏特效应的产生机理： N型硅为基底进行P掺杂形成的PN结受到光照时： 由于被光照射的一层做的很薄，光线足以透过P型半导体入射到PN结，甚至可以到达N型半导体一边。在结区内，对于能量大于材料禁带宽度的光子，由于本征吸收，就可激发出电子空穴对。 光生伏特效应 产生于PN结区的光生电子空穴对，被PN结势垒区较强的内建电场分离，空穴移向P区，电子移向N区。分离的结果：在N区边界将积累大量的电子，在P区边界积累大量的空穴，产生了一个与平衡PN结内建电场相反的光生电场，于是在P区和N区之间形成了一个光生电势差，也称为光生电动势。 光照度越强，光生电动势也就越大。 当PN结两端通过负载构成闭合回路时，就会有电流沿着由P经外电路到N的方向流动。只要辐射光不停止，这个电流就不会消失。这就是PN结被光照射时产生光生电动势和光电流的机理。 光生伏特效应 注意： ⑴、PN结产生光生伏特的条件是 ，与照射光的强度无关；  ⑵、光生伏特的大小与照射光的强度成正比。 光生伏特效应 ②开路光电压、短路光电流与入射光功率之间的关系 在入射光的作用下，产生光生电压为U、光生电流为Ip，入射光功率为P。在PN结两端通过负载RL构成的回路及等效电路为 丹倍效应 当：用 光照射均匀半导体的表面时，辐射通量被半导体近表面层强烈地吸收后，会在近表面层产生高浓度的非平衡电子和空穴。于是在半导体近表面层至体内形成载流子浓度的梯度分布，