MOS场效应管版图（正比、倒比）.pptVIP

MOS场效应管的版图 MOS场效应管的版图 学习目标 了解 1、MOS管的纵向结构和版图对应关系； 2、场区与寄生管的形成； 3、MOS管的版图层次。 掌握 1、不同形状MOS管版图的识别和绘制。 集成NMOS管 MOS场效应管的版图 集成NMOS管 包含源区、漏区和沟道区的区域成为有源区（Active）；有源区之外的区域成为场区（Fox）； 一个集成电路的表面要么是有源区，要么是场区，没有第三种区域存在，Fox=NOT（Active） 场区被很厚的氧化层覆盖，其厚度是有源区表面氧化层厚度的10倍左右。很厚的场氧化层能够阻止离子注入和杂质扩散。 有源区和场区 MOS场效应管的版图 场区寄生MOS管 当场区上的铝线跨过相邻的两个掺杂区时，铝线和场氧化层以及掺杂区就形成了寄生MOSFET； 寄生MOSFET导通会造成两个掺杂区之间产生电流流通，导致电路参数变坏甚至电路失效。 MOS场效应管的版图 场区寄生MOS管 一方面要提高场区氧化层的厚度； 另一方面可以在场区中注入与衬底同型的杂质，从而提高衬底的表面浓度； 从版图设计的角度可以加保护环。 MOS场效应管的版图 寄生双极型晶体管 为了抑制寄生双极型晶体管，一般保证P型衬底在电路的最低电位，N型衬底在电路的最高电位。 MOS场效应管的版图 CMOS集成电路把PMOS管和NMOS管制作在同一块硅片上（P型衬底或者N型衬底）； 为了制作两种器件，需要在原始衬底上形成另外一个导电类型与原始衬底相反的区域，该区域就称为阱。 集成PMOS管—— 做在N阱里 MOS场效应管的版图 CMOS电路中把PMOS 管的源及其衬底接VDD，NMOS管的源和衬底接VSS； 由于衬底是低掺杂的，为了形成衬底和金属的欧姆接触，在衬底的连接区域要进行重掺杂。 PMOS、NMOS管的版图图形 MOS场效应管的版图 PMOS、NMOS管的版图图形 N阱； 有源区； P+注入层； N+注入层； 多晶硅栅极； 金属1； 接触孔； 金属二； 通孔； MOS场效应管的版图 PMOS、NMOS管的各种版图图形 （a）nMOS管版图 （b）3个nMOS管串联 的版图 MOS场效应管的版图 PMOS、NMOS管的各种版图图形 （a）pMOS管版图 （b）2个pMOS管并联的版图 MOS场效应管的版图 PMOS、NMOS管的各种版图图形 W/L=？ MOS场效应管的版图 PMOS、NMOS管的各种版图图形 MOS场效应管的版图 MOS管的实际版图图形 MOS场效应管的版图 小节 MOS管的纵向结构和版图对应关系； 场区与寄生管的形成； MOS管的版图层次。 不同形状MOS管版图的识别和绘制。 谢谢观赏！