04_第三章 双极型晶体管.pptVIP

例3：已知在一理想晶体管中，各电流成分为：IEp=3mA、IEn=0.01mA、ICp=2.99mA、ICn=0.001mA。求出共射电流增益β0，并以β0和ICBO表示ICEO，并求出ICEO的值。 解： 发射效率为 基区输运系数为 共基电流增益为 因此可得 所以 前面讨论的是晶体管的静态特性(直流特性)，没有涉及其交流特性，也就是当一小信号重叠在直流值上的情况。小信号意指交流电压和电流的峰值小于直流的电压、电流值。 一、频率响应 1、高频等效电路：图(a)是以共射组态晶体管所构成的放大器电路，在固定的直流输入电压VEB下，将会有直流基极电流IB和直流集电极电流IC流过晶体管，这些电流代表图(b)中的工作点，由供应电压VCC以及负载电阻RL所决定出的负载线，将以一1/RL的斜率与VCE轴相交于VCC。 3.3 双极型晶体管的频率响应 下图(a)是此放大器的低频等效电路，在更高频率的状况下，必须在等效电路中加上适当的电容。与正向偏压的p-n结类似，在正向偏压的射基结中，会有一势垒电容CEB和一扩散电容Cd，而在反向偏压的集基结中只存在势垒电容CCB，如图 (b)所示。 当一小信号附加在输入电压上时，基极电流iB将会随时间变动，而成为一时间函数，如右图所示。基极电流的变动使得输出电流iC跟着变动，而iC的变动是iB变动的β0倍，因此晶体管放大器将输入信号放大了。 其中 称为跨导(transconductance) 称为输入电导(input conductance)。而基区宽度调制效应，将产生一个有限的输出电导。 另外，基极电阻和集电极电阻也都列入考虑。图(c)是加入上述各器件后的高频等效电路。 2、截止频率 ：在右上图中，跨导gm和输入电导gEB与晶体管的共基电流增益有关。在低频时，共基电流增益是一固定值，不会因工作频率而改变，然而当频率升高至一关键点后，共基电流增益将会降低。右下图是一典型的共基电流增益相对于工作频率的示意图。加入频率的参量后，共基电流增益为 其中?0是低频(或直流)共基电流增益，f?是共基截止频率，当工作频率f=f?时，?的值为0.707 ?0(下降3dB)。 5 10 6 10 7 10 8 10 9 10 10 10 1 . 0 1 0 a 0 b 10 2 10 3 10 dB 3 a b b f dB 3 a f T f 频率 Hz / 右图中也显示了共射电流增益，由上式可得 其中fβ称为共射截止频率 由于?0≈1，所以fβ远小于f?。 另外，一截止频率fT(又称特征频率)定义为β的绝对值变为1时的频率，将前式等号右边的值定为1，可得出 因此fT很接近但稍小于 f?。 5 10 6 10 7 10 8 10 9 10 10 10 1 . 0 1 0 a 0 b 10 2 10 3 10 dB 3 a b b f dB 3 a f T f 频率 Hz / 特征频率 其中A是器件的截面积，p(x)是少数载流于的分布，空穴经过基区所需的时间τB为 特征频率fT也可以表示为(2πτT)-1，其中τT代表载流子从发射极传输到集电极所需的时间，它包含了发射区延迟时间τE、基区渡超时间τB以及集电区渡越时间τC。其中最主要的时间是τB。少数载流子在dt时段中所走的距离为dt＝v(x)dt，其中v(x)是基区中的少数载流子的有效速度，此速度与电流的关系为 以线性空穴分布为例，将 要改善频率响应，必须缩短少数载流子穿越基区所需的时间，所以高频晶体管都设计成短基区宽度。由于在硅材料中电子的扩散系数是空穴的三倍，所有的高频硅晶体管都是n-p-n的形式(基区中的少数载流子是电子)．另一个降低基区渡越时间的方法是利用有内建电场的缓变掺杂基区，掺杂浓度变化(基区靠近发射极端掺杂浓度高，靠近集电极端掺杂浓度低)产生的内建电场将有助于载流子往集电极移动，因而缩短基区渡越时间。 代入 因此fT很接近但稍小于 f?。 和 * 第三章 双极型晶体管 Bipolar Junction Transistor 双极型晶体管的工作原理 双极型晶体管的静态特性 双极型晶体管的频率响应 双极型晶体管的开关特性 异质结双极型晶体管 双极集成电路中的晶体管 可控硅器件及相关功率器件 1、双极型晶体管结构 双极型晶体管是最重要的半导体器件之一，在高速电路、模拟电路、功率放大等方面具有广泛的应用。双极型器件是一种电子与空穴皆参与导通过程的半导体器件，由两个相邻的耦合p-n结所组成，其结构可为p-n-p或n-p-n的形式。 如图为一p-n-p双极型晶体管的透视图，其制造过程是以p型半导体为衬底，利用热扩散的原理在p型衬底上形成一n型区域，再