水平炉管技术资料.PDFVIP

水平爐管 技術資料 水平爐管個別原理• LPCVD Poly Si LPCVD Nitride LPCVD TEOS Oxide LPCVD Dope-AMM APCVD Wet Oxide APCVD Dry Oxide APCVD N+ Anneal + APCVD P Anneal APCVD Drive In APCVD H -SINTER 2 •影響 Thermal Oxide Layer電性的電荷來源 •退火 (Annealing) 水平爐管個別原理 因爐管反應室 (Quartz Tube)是藉由 熱阻絲三區加熱 ，晶片在進出爐管時， 其輸送速度不宜太快，使晶片因溫度變化過大的熱應力 ，導致破片。 影響薄膜沈積速率的主要因素為 溫度 、壓力 大小及氣體流量 。 薄膜沈積機構發生順序：長晶→晶粒成長 →晶粒聚結 →縫道填補→沈積 膜成長。 【LPCVD Poly Si】壓力 350mTorr 多晶矽，溫度620℃ ，膜厚200～10,000Å ；非晶矽，溫度560℃ ，膜厚200～10,000Å SiH →Si + 4(g ) ∆ ( s ) 2H 2(g ) Polysilicon是由多種不同 Crystal Orientation的 Single Crystal of Silicon Grains所組成純矽物質 。就是介於單晶矽與Amorphous Silicon 之間的 一種純矽。 多晶矽內每個單晶晶粒彼此間，則是一種二次元Defects-Grain 所隔開。因為晶粒界面內含有各種的 Line Defects及 Point Boundary Defects ，使雜質經這些晶粒界面而進行擴散的能力 ，將較經由晶粒內部 的還來得快。就是基於這個因素，我們才會選擇對多晶矽進行摻雜，以 改變其電性，並獲得符合製程所需求的“矽”。 LPCVD 沉積的多晶矽，本身Resistivity很高，可以做 IC設計上的 Resistor 。經Heavily Doped後的 Polysilicon ，因電阻率可以降到 500~1200μΩ-cm 之間，可以成為 IC 元件的導電材料，如閘極金屬層 。 而Trench Structure也可以用 LPCVD 多晶矽加以填入，做為DRAM的 電容器 ，或做為不同元件間的Isolation 之用。而非晶矽主要用在 TFT 的 Channel部份。 【LPCVD Nitride】 溫度 780℃ ，壓力350mTorr ，膜厚30～10,000Å 3SiH Cl +4NH →Si N +6HCl +6H 2 2 (g ) 3 (g ) ∆ 3 4 (s ) (g ) 2 (g ) 1.介電材料，應用為氧化層的蝕刻 Mask 。 2.不易被氧滲透可做為 Field Oxide 製作時，防止晶片表面 Active Area 遭受氧化的 Masking Layer 。即著名的LOCOS 製程(Local Oxidation of Silicon) 。 3.對鹼金屬離子防堵能力 很好，且不易被 Moisture所滲透，做為 Passivation 。 因為 LPCVD Nitride 沈積溫度太高，因此 Passivation Layer應用上， Nitride都是以 PECVD 方式來製作。以下是PECVD Nitride的沈積反應 式： RF +N 2 ( g ) SiH 4(g ) +NH 3 (g ) →SiN